Es sollen die Parameter eines MOSFETs aus Messwerten extrahiert werden.
Da der MOSFET durch eine nichtlineare Gleichung beschrieben wird,
wird iterativ nach den besten Parametern (Vth, beta, lambda) gesucht.
Angefangen wird mit guten Startwerten. Diese Parameter werden um jeweils delta (0.02, 2%) variiert
und jeweils die Summe der Fehlerquadrate bestimmt.
Die kleinste Summe der Fehlerquadrate ergibt die neuen Parameter (Vth, beta, lambda) für den nächsten Schritt.
Dies wird so lange getan bis die maximale Anzahl der Schritte erreicht ist, oder sich die
Fehlersumme nicht mehr ändert.
Je nach Startwerten und Messwerten können unterschiedliche Endwerte herauskommen.
MOSFET
Modell
Messung
Die einfachste Gleichung des n-Kanal MOSFETs lautet (SPICE model level=1):
Version 4
SHEET 1 880 680
WIRE 224 16 176 16
WIRE 432 16 304 16
WIRE 176 48 176 16
WIRE 32 64 -32 64
WIRE 80 64 32 64
WIRE -32 80 -32 64
WIRE 256 96 176 96
WIRE 432 96 432 16
WIRE 80 128 80 64
WIRE 128 128 80 128
WIRE -32 176 -32 160
WIRE 176 176 176 144
WIRE 176 176 -32 176
WIRE 256 176 256 96
WIRE 256 176 176 176
WIRE 432 176 256 176
WIRE 176 208 176 176
FLAG 176 208 0
FLAG 176 16 OSC1DC
FLAG 432 16 OSC2DC
FLAG 32 64 OSC3DC
SYMBOL nmos4 128 48 R0
WINDOW 3 56 74 Left 0
SYMATTR InstName M1
SYMBOL res 320 0 R90
WINDOW 0 0 56 VBottom 0
WINDOW 3 32 56 VTop 0
SYMATTR InstName R1
SYMATTR Value 100
SYMBOL voltage 432 80 R0
WINDOW 3 38 79 Left 0
WINDOW 123 0 0 Left 0
WINDOW 39 0 0 Left 0
SYMATTR Value 5
SYMATTR InstName VAWG1
SYMBOL voltage -32 64 R0
WINDOW 3 25 95 Left 0
WINDOW 123 0 0 Left 0
WINDOW 39 0 0 Left 0
SYMATTR Value 3.5
SYMATTR InstName VAWG2
TEXT 24 272 Left 0 !.dc VAWG1 0 5 0.25 VAWG2 2 5 1
TEXT -48 -112 Left 0 !.model NMOS NMOS(LEVEL=1 KP=500u\n+ VT0=1 LAMBDA=0.0167 CGSO=1n CGBO=2n CGDO=200n)\n.options plotwinsize=0
Messwerte:
Die Drain-Source-Strommessung wird am Messwiderstand R1 mit zwei Eingängen des Oszilloskops (OSC1DC, OSC2DC) durchgeführt.
Vorher werden die Eingänge OSC1DC und OSC2DC auf die selbe Spannung gelegt um einen etwaigen Offset zu bestimmen.
Dieser wird unten eingetragen.
Die Gatespannung wird mit dem Eingangen des Oszilloskops (OSC3DC) durchgeführt.
Es muss darauf geachtet werden, dass das Signal nicht oben oder unten im Oszilloskopbild abgeschnitten wird,
sonst sind die Werte falsch. Es werden die Mittelwerte von OSC1, und OSC2 bei einer fest angelegten Spannung gemessen.
Diese Werte und der Wert des Messwiderstandes wird in das untere Textfeld mit Dezimalpunkt und durch Kommas
getrennt eingegeben.
Die gezeigte MOSFET Kurve wird von 0V bis 5 V in 1 V Schritten Uds
und von 2 V bis 5 V in 1 V Schritten Ugs dargestellt.
Offset [V] zwischen OSC2 und OSC1: OSC2 - OSC1 Volt
Messwiderstand R: Ohm
OSC1DC (UDS) [V] ,
OSC2DC [V] ,
OSC3DC (UGS) [V]
Die angelegten gemessenen Spannungen und der gemessene Strom werden unten eingetragen.
Es muss darauf geachtet werden, dass der Messbereich des Messgerätes voll ausgenutzt wird, aber nicht überschritten wird.