Hochschule Kempten      
Fakultät Elektrotechnik      
Elektronik 3       Fachgebiet Elektronik, Prof. Vollrath      

Elektronik 3

05 Diode

Prof. Dr. Jörg Vollrath


04 Diode: Der pn Übergang


Video der 5. Vorlesung


Länge: 00:42:10
0:0:46 Datenblatt

0:0:46 Datenblatt einer Diode

0:2:51 Forward Characteristic

0:3:46 Temperaturabhängigkeit

0:5:6 Diodencharakteristik

0:5:48 Reale Diode

0:6:41 SPICE Diodenmodell

0:8:53 SPICE .model Dioden Anweisung

0:13:42 Bestimmung der Parameter einer Diode

0:15:20 I=(U2-U1)/R

0:15:56 Strommessung mit einem Widerstand

0:18:13 Strommessbereich

0:20:26 Versuch 2 Diode

0:24:31 Sperrbereich

0:25:27 Sperrbereich, Sperrstrom

0:27:46 Bestimmung n im Durchlassbereich

0:32:32 Vereinfachung auf ID = IS exp(U/n(UT))

0:34:11 Berechnung RS mit grossen Strömen

0:40:48 Diodenarten Schaltsymbole

0:42:36 LTSPICE Diodennetzliste

0:43:20 Simulationsergebnis Diodenkennlinien

0:46:47 Lineare Darstellung der Simulationsergebnisse

0:48:6 Berechnung von Diodenspannungen

0:50:6 Lösung

0:54:16 RS Diskussion: Weglassen oder nicht?

0:55:46 10 fA, 1 mA

0:58:13 Ladungsspeicherung in der Sperrschicht

1:1:34 Ladungsspeicherung im Durchlassbereich

1:3:24 Auschalten einer Dioden

1:5:49 Reverse current der Diode beim Abschalten

1:8:4 Einschalten, ausschalten, ladungsträger

1:8:44 Diodengleichungen

1:9:48 0

Rückblick und Ausblick

Heute:

Kennlinienparameter

  • Flussspannung UF0
    Schleusenspannung
    • Relativ willkürliche Definition
    • \( U_{F0} =U_F |_{I=0.05 I_{max}} \)
  • Maximal zulässiger Durchlassstrom Imax
    • Erwärmung des Bauelements, Verlustleistung
  • Sättigungsstrom IS
  • Durchbruchsspannung UBR
    • Bei der Durchbruchsspannung kommt es zu einer lawinenartigen Generation von Ladungsträgern in der Sperrschicht.
    • Lawinendurchbruch


Datenblatt

  • 1N4001 ... 1N4007, 1N4007-1300
  • Silizium Gleichrichter
  • Nennstrom 1A
  • Periodische Spitzensperrspannung 50..2000V
  • Durchlassspannung VF<1.1V
Bild einer realen Diode

Quelle: Vollrath
Ein Strich markiert die Richtung. Man kann das Diodensymbol auf der Platine erkennen.
Datenblatt 1N400x

Quelle: Datrenblatt

SPICE Diodenmodell

.model 1N914 D(Is=2.52n Rs=.568 N=1.752 Cjo=4p M=.4 tt=20n Iave=200m Vpk=75 mfg=Motorola type=silicon)
DC Simulation
  • Is Saturation current
  • Rs Series Resistance
  • N Emission Coefficient
  • BV, IBV Breakdown voltage
AC, Transient Simulation
  • Cjo Zero bias junction capacitance
  • M Grading coefficient
  • Tt Transit time

  • Iave Current rating
  • Vpk Peak voltage rating
  • Type LED, zener, silicon, Shottky
  • Mfg Hersteller
\( I_D = I_S\left( e^{\frac{q (U - I_D * R_S )}{nkT}}-1\right) \)
Quelle: Vollrath

Bestimmung der Parameter der Diodengleichung

\( I = \frac{U}{R} = \frac{UOSC2 - UOSC1}{R1} \)
R [ \( \Omega \) ] Imin Imax
10
100
1k
1M
1M \( \Omega \) ist der Eingangswiderstand des Multimeters/Oszilloskops.

Beispiel: Diodenmessung

An einer idealen Diode mit einem Serienwiderstand RS werden folgende Messungen gemacht.
  • In welchen Arbeitsbereichen befindet sich die Diode bei den Messungen 1..4?
  • Bestimmen Sie näherungsweise Is, n und den Serienwiderstand RS. (UT=0.025V)
Messung 1 2 3 4
VDiode -2 V 0.5 V 1.4 V 1.6 V
IDiode -0.3 nA 11 uA 400 mA 600 mA
Arbeitsbereich

Diodensymbole (LTSPICE) und Gleichung

Vorwärtsbetrieb
\( I_D = I_S \left( e^{\frac{q U}{n k T}} - 1 \right) \)
Durchbruch \( U_D < BV \)
\( I_D = - I_S \left( e^{- \frac{q (U+BV)}{n k T}} - 1 + \frac{q BV}{k T} \right) \)

Quelle: Vollrath

Dioden in LTSPICE

Netzliste (netlist)
* \Elek3_WS2011\LTSPICE\Dioden_arten_01.asc
D_Silicon N001 0 1N914
D_Shottky N001 0 MBR0520L
D_Zener N001 0 BZX84C10L
D_SiC N001 0 UPSC600
D_varactor N001 0 MV2201
D_LED N001 0 NSCW100
V1 N001 0 1
.model D D
.lib c:\lib\cmp\standard.dio
.dc V1 -2 4 0.1
.backanno
.end
Dioden fangen in der Netzliste mit dem Buchstaben D an.
Es gibt eine Bibliothek (library) standard.dio mit Bauteileigenschaften.

Quelle: Vollrath

Dioden Kennlinie logarithmisch in LTSPICE


Quelle: Vollrath
SiliziumShottkyZener SiCVaraktorLED
Is (A) 2.25n31.7u 0.6n 2p 1.36p 16.9n
n 1.752 0.78 1 1.5 1 6.79

Dioden Kennlinie linear in LTSPICE


Quelle: Vollrath

Beispiel: Diodenspannung

Berechnen Sie die Diodenspannung für eine Siliziumdiode mit Is=0.1fA, wenn bei Raumtemperatur ein Strom von 300 \( \mu \)A fließt?
Wie groß ist die Diodenspannung für Is=10fA?
Wie groß ist die Diodenspannung bei einem Strom von 1mA?
VT = 25mV, n = 1

Beispiel: Diodensättigungsstrom

An einer Siliziumdiode liegt bei 50°C eine Spannung von 0.736V an und es fließt ein Strom von 2.5mA. Wie groß ist der Sättigungsstrom?

Ladungsspeicherung in der Sperrschicht

Sperrschichtkapazität (Junction Capacitance)
  • CS, CJ
Abrupter pn-Übergang

\( Q_S = q A N_D x_n = - q A N_A x_p \)
\( d_s = x_n + x_p \)
\( C_{j0} \): Diodenkapazität bei 0V
\( C_S = A \sqrt{\frac{q \epsilon_H N_A N_D}{2 (N_A+N_D)(U_D-U)}} = \frac{\epsilon_H A}{d_S} \)
\( C_S = C_J = \frac{C_{J0}}{\sqrt{1-\frac{U}{U_D}}} \)

Ladungsspeicherung im Durchlassbereich

Kontinuitätsgleichung
\( \tau_D \frac{dI}{dt} = C_D \frac{dU}{dt} \)
Diffusionskapazität
\( C_D = \frac{d(Q_n+Q_p)}{dU} = \tau_D \frac{I}{U_T} \)

Schaltverhalten: Einschalten und Ausschalten

SPICE Simulation
td Aufladung der Diffusionskapazität
Stationärer Strom I1

\( \tau_S = \tau_D ln\left( 1- \frac{I_1}{I_2} \right) \)
tS Speicherzeit: Entladung der Diffusionskapazität
tf Abfallzeit tf ~ CS(RV+RB)

td Stromspitze Einschalten, ts konstanter Gegenstrom, tf Abfall des Gegenstroms

Schaltverhalten: Messung


Mittlere Diode aus dem Diodenversuch.
Kleinster Widerstand 100 Ω am Ende des Sockels.
C1 zeigt das Rechteckeingansgsignal zwischen +8 V und -2 V mit einer Frequenz von 500kHz.
C2 zeigt die Diodenspannung.
Ohne eine Speicherladung im pn Übergang, sollte der Strom (M1) durch die Diode bei Sperrspannung sofort Null werden.
Da gespeicherte Ladung vorhanden ist, sieht man noch einen Stromfluss.
Dieses Verhalten entspricht einem Kapazitätsverhalten, man spricht von der Diffusionskapazität.

Diodengleichungen

  • Symbol
  • Diodenstrom
  • \( I_D = I_S\left( e^{\frac{qU}{nkT}}-1\right) \)
  • Temperaturspannung
  • \( V_T = \frac{kT}{q} \) \( ( V_T(RT)= 25mV ) \)
  • Diffusionsspannung UD
    (Built-in potential)
    \( U_D = \frac{kT}{q} ln\left(\frac{N_A N_D }{n_i^2} \right) \)
  • Sperrschichtausdehnung (Raumladungszonen)
  • \( d_S = \sqrt{\frac{2 \epsilon_H (U_D-U) \left(N_A + N_D \right)}{q N_A N_D}} \)
  • Sperrschichtkapazität
  • \( C_S = A \sqrt{\frac{q \epsilon_H N_A N_D}{2 (N_A+N_D)(U_D-U)}} = \frac{\epsilon_H A}{d_S} \)
    \( C_S = C_J = \frac{C_{J0}}{\sqrt{1-\frac{U}{U_D}}} \)
  • Diffusionskapazität
  • \( C_D = \frac{d(Q_n+Q_p)}{dU} = \tau_D \frac{I}{U_T} \)

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