Elektronik 306 DiodeProf. Dr. Jörg VollrathPrevious: Dioden Kennlinien |
Länge: 00:42:10 |
0:00:00 Diode 0:00:23 Rückblick Diode 0:02:50 Ersatzschaltbilder 0:05:38 Berechnung einer Diodenschaltung 0:09:06 Grafische Näherungslösung 0:09:58 Widerstandslastgerade 0:12:59 Rechnung einer Näherungslösung 0:14:54 Kleinsignalbetrachtung 0:16:08 Kleinsignalwiderstand 0:23:14 Ersatzschaltbild der Diode 0:26:03 Flussrichtung, Sperrrichtung 0:27:34 Z-Diode zur Spannungsbegrenzung 0:28:34 UI Kennlinie der Z-Diode 0:31:18 Ersatzschaltbild Z-Diode 0:32:39 Simulation LTSPICE 0:34:39 Z-Diode Beispiel 0:39:38 Quellenumwandlung 0:42:02 Superpositionsansatz 0:43:32 Spannungsteiler 0:47:02 Superposition 0:48:02 Quellenumwandlung 0:51:02 Temperaturmessung mit einer Diode 0:54:43 VPTAT Schaltkreis 0:55:39 Rechenansatz 0:57:42 UDiode Formel 0:59:37 Berechnung eines Wertes 0:59:37 Ergebnis 0:59:39 Ergebnis 0:59:39 MathNotepad 1:01:50 Temperatursensor MAX1617 1:05:44 |
12.11.2019 - 15.11.2019 PRODUCTRONICA Weltleitmesse für innovative Elektronikfertigung, München | |
10.11.2020 - 13.11.2020 electronica 2018 Components / Systems / Applications München | |
25.2. - 27.2.2020 embedded world, Conference Nürnberg, Germany | |
Allgäuer Hochschulmesse, April 2020 Kempten |
Ein Widerstand R = 10 \( \Omega \) und eine Diode sind in Reihe an einer Spannungsquelle V1 = 1 V angeschlossen. Der Strom I soll berechnet werden?
\( I = I_S\left( e^{\frac{q (V_1 - I * R )}{nkT}}-1\right) \)
Dies ist eine nichtlineare Gleichung. Die Lösung der Gleichung kann nur iterativ durch Ausprobieren erfolgen. Näherungslösungen:
|
Graphische Lösung: Was passiert wenn nur die Diode vorhanden wäre? Wie groß ist der Strom durch den Widerstand bei verschiedenen Diodenspannungen? Widerstandslastkennline Wenn 0V an der Diode anliegt fliesst der maximale Strom \( I = \frac{1 V}{ 10 \Omega} = 100 mA \). Wenn 1V an der Diode anliegt fliesst kein Strom I = 0. Zwischen diesen 2 Punkten ist die Kennlinie linear, da der Widerstand ein lineares Bauelement ist. Das Ohmsche Gesetz gilt. Man kann nun den Arbeitspunkt der Schaltung aus dem Schnittpunkt der Kurven bestimmen. \( U_{Diode} = 0.75 V \)   und \( I = 25 mA \) |
|
Die Diodenkennlinie ist sehr steil. Was passiert, wenn als Diodenspannung 0.7 V angenommen wird? Dies entspricht einer Spannungsquelle von 0.7 V.
Je größer die Spannung und der Widerstand sind, desto geringer ist die Abweichung. Grosssignalersatzschaltbild und Rechnung. |
|
Was passiert mit dem Strom, wenn sich die Spannung V1 geringfügig ändert? Man ersetzt die nichtlineare Diodenkennlinie durch eine Tangente im Arbeitspunkt. Man ersetzt die Diode durch einen Widerstand. \( r_D = \frac{ \Delta U}{ \Delta I} = \frac{1}{\frac{\delta I}{ \delta U}} = \frac{1}{\frac{\delta I_S \left( e^{\frac{U}{n U_T}} -1 \right)}{ \delta U}} \) \( r_D = \frac{1}{\frac{ I_S \left( e^{\frac{U}{n U_T}}\right)}{ n U_T}} = \frac{ n U_T}{I_S \left( e^{\frac{U}{n U_T}}\right) } \) \( r_D \approx \frac{ n U_T}{I_S \left( e^{\frac{U}{n U_T}} - 1 \right) } = \frac{n U_T}{I_{Diode}} = 1 \Omega \) |
Man kann nun die Stromänderung der Schaltung im Arbeitspunkt mit der Spannungsteilerregel bestimmen. \( \Delta I = \Delta U \cdot \frac{ r_D}{ R + r_D} \) \( \Delta I = 0.2 V \cdot \frac{ 1 \Omega }{ 10 \Omega + 1 \Omega} =0.018 mA \) |
Grosssignalersatzschaltbild: Schalter mit Spannungsquelle (0.7 V) |
Kleinsignalersatzschaltbild: Widerstand \( r_D \approx \frac{n U_T}{I_{Diode}} \) |
Sperrstrom und Durchlassstrom steigen mit der Temperatur. \( I_D = I_S \left( e^{\frac{U}{nU_T}} -1 \right) \) \( I_S \sim n_i^2 =B·T^3·exp^{-\frac{W_g}{kT}} \) \( V_T \sim T \) Die dargestellte Kennlinie hat für positive Werte eine andere y Achsenskala als für negative Werte. |
Quelle: Datenblatt |
Es soll untersucht werden ob die Spannung VPTAT der folgenden Schaltung
direkt proportional zur Temperatur ist.
\( k = 8.62·10^{-5} eV/K = 1.38·10^{-23}J/K \) (PTAT: proportional to absolute temperature) Es werden zwei gleiche Dioden mit den folgenden Strömen verwendet: \( I_{D1} =100 \mu A \) , \( I_{D2} =10 \mu A \) Wie groß ist die Spannung VPTAT bei T=195K? Um wieviel mV ändert sich die Spannung bei 1°C Temperaturänderung?
Temperaturabhängigkeit von Diodenströme
\( I_{D1} =100 \mu A \) ,   \( I_{D2} =10 \mu A \) \( I_{D} = I_S \left( e^{\frac{qU}{kT}}-1\right) \approx I_S e^{\frac{qU}{kT}} \) \( U = \frac{kT}{q} ln \left( \frac{I_D}{I_S} \right) \) \( V_{PTAT} = U_{D1}-U_{D2}=\frac{kT}{q} ln \left( \frac{I_{D1}}{I_{D2}} \right) = \frac{195 K 8.62 \cdot 10^{-5} eV/K}{q} = 38.9mV \) \( \frac{\Delta V_{PTAT}}{\Delta T} = \frac{k}{q} ln \left( \frac{I_{D1}}{I_{D2}} \right) = 0.2 mV/K \) |
|
Quelle: Datenblatt Quelle: Datenblatt |
Quelle: Datenblatt |