Hochschule Kempten      
Fakultät Elektrotechnik      
Elektronik 3       Fachgebiet Elektronik, Prof. Vollrath      

Elektronik 3

15 Verstärkergrundschaltungen

Prof. Dr. Jörg Vollrath


14 Verstärker




Video 15 Verstärkerschaltungen


Länge: 01:08:17
0:1:4 Verstärker Grundschaltungen

0:3:5 Diodenlast

0:3:44 Transistorlast

0:4:17 Inverter

0:5:45 Verstärker mit Diodenlast

0:7:46 Kondensator Kurzschluss

0:10:31 PFET Drain und Gate Verbunden

0:13:4 Spannungsverstärkung

0:16:1 Beispiel rechnen

0:18:48 Werkzeuge

0:24:33 IDS M1, M2, M3

0:28:5 VB = 2 VA

0:29:5 Zuerst fehlerhaft: Richtg 1/2 VB

0:31:38 Berechnung VB Korrektur

0:32:44 VB = 3.04V

0:36:50 Anlaoge Schaltungstechnik

0:39:25 Millerkapazität, Äquivalenter entkoppelter Schaltkreis

0:42:49 Cin

0:48:56 Praktische Durchführung im Praktikum

0:50:5 Widerstände zwischen Ein- und Ausgang werden transformiert

0:52:45 Drainschaltung, Sourcefollower

0:57:29 Kaskodenschaltung mit Gateschaltung

1:0:54 Simulationsergebnis

1:3:45 Gateschaltung

1:4:15 Zusammenfassung

Rückblick und Heute


Reinhold: 177, 179, 212
Jaeger: 886-890,1160-1161, 1184

Verstärker Grundschaltungen

Durch einen Kondensator wird der Wechselspannunganteil des Eingangssignals zum Gate des Transistor geführt.
Ein Gleichanteil am Gate des Transistors bestimmt den Arbeitspunkt. Dieser wird entweder mit einem Spannungsteiler erzeugt oder durch einen Rückkopplungswiderstand.
Mit einem Widerstand in Serie zum Eingangskondensator kann man die Spannungsverstärkung verkleinern.

Verstärker Grundschaltungen mit Diodenlast

Der PFET M4 ersetzt den Widerstand. Da Gate und Drain verbunden sind, ist im Kleinsignalersatzschaltbild nur der Ausgangsleitwert gmp wirksam.
1/gmp ist normalerweise kleiner als Rdp.
Durch das Größenverhältnis (Stromverhältnis, β )der Transistoren lässt sich die Verstärkung festlegen.
Mit dieser Schaltung lässt sich nur eine niedrige Verstärkung realisieren (< 10).
Kleinsignalbetrachtung:
\( v_u = \frac{u_a}{u_e} = - \frac{u_e \cdot g_{mn4} \cdot \frac{1}{g_{dn4} + g_{mp4}}}{u_e} = - \frac{ g_{mn4} }{g_{dn4} + g_{mp4}} \approx - \frac{ g_{mn4} }{g_{mp4}} \)
Großsignalbetrachtung:
\( I_{DS} = \beta_{n4} \left( U_{GSN4} - U_{thn} \right)^2 = \beta_{p4} \left( U_{GSP4} - U_{thp} \right)^2 \)
\( \sqrt{\frac{\beta_{n4}}{\beta_{p4}}} \left( U_{E} - U_{thn} \right) = \left( U_{DD} - U_{A} - U_{thp} \right) \)
\( U_{A} = U_{DD} - U_{thp} + \sqrt{\frac{\beta_{n4}}{\beta_{p4}}} U_{thn} - \sqrt{\frac{\beta_{n4}}{\beta_{p4}}} U_{E} \)

Verstärker Grundschaltungen mit aktiver Last

Der PFET M4 ersetzt den Widerstand. Die Spannung VBIAS bestimmt den Stromverbrauch der Schaltung und den Arbeitspunkt.
Es ist gdp wirksam. Es werden größere Verstärkungen erzielt.
Kleinsignalbetrachtung:
\( v_u = \frac{u_a}{u_e} = - \frac{u_e \cdot g_{mn4} \cdot \frac{1}{g_{dn4} + g_{dp4}}}{u_e} = - \frac{ g_{mn4} }{g_{dn4} + g_{dp4}} \)

Analoge Schaltungstechnik


In der analogen Schaltugnstechnik versucht man möglichst einfache Schaltungen durch Aneinanderreihung von realen Quellen und Lasten aufzubauen.
Das erleichtert die Rechnung und das Verständnis der Schaltungen.
Komplexe Widerstände die Eingang (Gate) und Ausgang (Drain) verbinden, verhindern eine solche einfache Analyse.
Deshalb versucht man diese Elemente durch äquivalente Elemente nur am Eingang und am Ausgang zu ersetzen.
In der folgenden Folie wird das für eine Kapazität durchgeführt.

Frequenzeigenschaften und Millerkapazität

Für eine einfacherer Betrachtung möchte man die Kapazität CGD durch eine äquivalente Eingangskapazität Cin und Ausgangskapazität Cout ersetzen.
\[ j \omega C_{in} = \frac{\underline{I}_{in}}{\underline{U}_{in}} = \frac{\left( \underline{U}_{in} + \frac{g_m \underline{U}_{in}}{g_D}\right) j \omega C_{GD}}{\underline{U}_{in}} \] \[ C_{in} = \left( 1 + \frac{g_m}{g_D} \right) C_{GD} = \left( 1 + |v_{u}| \right) C_{GD} \] \[ C_{out} = C_{GD} \] Die äquivalente Kapazität \( C_{in} \) ist viel größer als \( C_{GD} \).

Millereffekt

Diese Kapazität begrenzt die maximale Frequenz bei der noch eine Verstärkung erzielt werden kann.

\( U_{in} = I_{in} \left( \frac{1}{j \omega C_{GD}} + \frac{1}{g_{D}} \right) - U_{in} \cdot \frac{g_{m}}{g_{d}} \)
\( U_{in} \left( 1 + \frac{g_{m}}{g_{d}} \right) = I_{in} \left( \frac{1}{j \omega C_{GD}} + \frac{1}{g_{D}} \right) \)
\( \frac{ U_{in}}{I_{in}} = \frac{ \frac{1}{j \omega C_{GD}} + \frac{1}{g_{D}} }{ 1 + \frac{g_{m}}{g_{d}} } = \frac{1}{j \omega C_{GD} \left( 1 + \frac{g_{m}}{g_{d}} \right) } + \frac{1}{ g_{D} \left( 1 + \frac{g_{m}}{g_{d}} \right) } \)

Drainschaltung, Sourcefollower

Ausgang an der Source
  • Eingang
    • Hochohmig (R1,R2)
  • Ausgang
    • Niederohmig (R3)
  • Spannungsverstärkung 1
    • Sourcefolger (Emitterfolger)
  • Aussteuerbereich
    • Ausgangsspannung VDD/2
  • Potenzialverschiebung
    • Ohne Kapazitäten
Drain ist der gemeinsame Bezugspunkt von Eingang und Ausgang

KESB Ersatzschaltbild
Eingangswiderstand, Ausgangswiderstand
Verstärkung
Diese Schaltung wird als Spannungsregler eingesetzt.

Drainschaltung Arbeitspunkt

\[ V_{out} = I_{DS} \cdot R_{3} \] \( V_{DS} > V_{GS}-V_{Th} \) Sättigung
\[ I_{DS} = \beta \left( V_{GS} - V_{Th} \right)^{2} \] \[ I_{DS} = \beta \left( V_{G} - V_{out} - V_{Th} \right)^{2} \] \[ V_{out} = \beta \left( V_{G} - V_{out} - V_{Th} \right)^{2} \cdot R_{3} \] \[ V_{out} = \beta \cdot R_{3} \left( \left( V_{G} - V_{Th} \right)^{2} - 2 \left( V_{G} - V_{Th} \right) V_{out} + V_{out}^{2} \right) \] \[ V_{out}^{2} - 2 \cdot V_{out} \left( \left( V_{G} - V_{Th} \right) + \frac{1}{2 \cdot \beta \cdot R_{3}} \right) + \left( V_{G} - V_{Th} \right)^{2} = 0 \]

Drainschaltung Arbeitspunkt

\[ \left( V_{out} - \left( V_{G} - V_{Th} \right) - \frac{1}{2 \cdot \beta \cdot R_{3}} \right)^{2} - \left( \left( V_{G} - V_{Th} \right) + \frac{1}{2 \cdot \beta \cdot R_{3}} \right)^{2} + \left( V_{G} - V_{Th} \right)^{2} = 0 \] \[ \left( V_{out} - \left( V_{G} - V_{Th} \right) - \frac{1}{2 \cdot \beta \cdot R_{3}} \right)^{2} = 2 \frac{V_{G} - V_{Th}}{2 \cdot \beta \cdot R_{3}} + \frac{1}{\left( 2 \cdot \beta \cdot R_{3} \right)^{2} } \] \[ V_{out} = \left( V_{G} - V_{Th} \right) + \frac{1}{2 \cdot \beta \cdot R_{3}} \pm \sqrt{ \frac{V_{G} - V_{Th}}{ \beta \cdot R_{3}} + \frac{1}{\left( 2 \cdot \beta \cdot R_{3} \right)^{2} }} \] Positives Vorzeichen kann nicht sein. \[ V_{out} \approx \left( V_{G} - V_{Th} \right) \]

Drainschaltung KESB

Verstärkung
\[ u_{out} = g_{m} \cdot \left( u_{G} - u_{out} \right) \cdot \left( r_{D} || R_{3} \right) \] \[ u_{out} \left( 1 + g_{m} \cdot \left( r_{D} || R_{3} \right) \right) = g_{m} \cdot u_{G} \cdot \left( r_{D} || R_{3} \right) \] \[ \frac{ u_{out}}{u_{G}} = \frac{ g_{m} \cdot \left( r_{D} || R_{3} \right)} { 1 + g_{m} \cdot \left( r_{D} || R_{3} \right) } \]
\[ \frac{ u_{out}}{u_{G}} = \frac{ 1} { \frac{1}{g_{m} \cdot \left( r_{D} || R_{3} \right)} + 1 } \] \[ g_{m} \cdot \left( r_{D} || R_{3} \right) >> 1 \] \[ \frac{ u_{out}}{u_{G}} \approx 1 \]

Drainschaltung KESB

Ausgangswiderstand
Die Eingangsspannung ist konstant. Wie ändert sich der Strom iout am Ausgang, wenn sich die Ausgangsspannung uout ändert.
Superposition mit Eingangsspannung Null.
\( u_{gs} = - u_{out} \)
\( i_{out} = g_m \cdot u_{out} + \frac{ u_{out} }{ \left( r_{D} || R_{3} \right)} \)
    \( \frac{u_{out}}{i_{out}} = \frac{1}{ g_m + \frac{1}{ \left( r_{D} || R_{3} \right) }} \)
\( r_{out} = \frac{u_{out}}{i_{out}} \approx \frac{1}{ g_m } \)
Einstellbare Spannungsquelle

Verstärkergrundschaltungen

Es gibt außer der Sourceschaltung und der Drainschaltung auch noch die Gateschaltung.

Kaskodenschaltung

Kaskodenschaltung

Links: Ein Kaskodenverstärker mit 2 MOSFETs M1, M2
Sourceschaltung M2, Gateschaltung M1
Rechts: Ein einfacher Verstärker mit MOSFET M3. Die Simulation funktioniert nur, wenn die Spannungsquelle einen Innenwiderstand (Rser) hat.
Umdie Wirkung einer Eingangskapazität zu sehen, benötigt man eine reale Spannungsquelle mit Innenwiderstand am Eingang. Dann sieht man den Spannungsteiler aus Innenwiderstand und Eingangskapazität, der einen Tiefpass darstellt.
Man erkennt eine deutlich höhere Grenzfrequenz des Kaskodenverstärkers. Die Eingangskapazität von M2 ist gering, da an der Drain kein verstärktes Signal anliegt, sondern erst an der Drain von M1.

Zusammenfassung


Nächstes Mal:
16 Differenzverstärker

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