Kennlinie: UCE(UBE) mit Emitterwiderstand und Kapazität
Das Bild zeigt verschiedene Arbeitspunktkonfigurationen.
Bei der ganz rechten Konfiguration mit Re und Ce hat man für
verschiedene Spannungsteiler für die Basis immer noch ein stabilen Arbeitspunkt.
Wegen Ce hat man immer noch eine sehr hohe Verstärkung für AC Signale.
Ohne Re muss man den Spannunsteiler sehr genau einstellen,
um überhaupt ein schönes Ausgangssignal zu bekommen.
Es wird bei der Simulation entweder die Ausgangsspannung über der
Eingangsspannung dargestellt, oder ein zeitlicher Verlauf der
Ausgangsspannungen.
Ein Kollektorwiderstand bestimmt die Eingangsspannung UBE, bei der
der Ausgang von der Minimalspannnung zur Maximalspannung wechselt.
Durch die hohe Verstärkung gibt es einen nutzbaren Eingangsbereich von ca. 50 mV.
Es ist sehr schwierig, diese Spannung mit einem Spannungsteiler einzustellen.
Ein Emitterwiderstand verkleinert die Verstärkung und vergrößert
gleichzeitig den möglichen Eingangsspannungsbereich.
Damit ist es leichter möglich einen Spannungsteiler am Eingang zur
Arbeitspunktbestimmung zu bauen.
Wenn man immer noch eine sehr große Verstärkung für Wechselspannungsignale
benötigt, wird der Widerstand mit einem Kondensator für hohe Frequenzen
kurz geschlossen.
\( u_{o1} = - g_m r_{o1} u_{e} \frac{r_{i1}}{r_{i1} + RE1} + u_{e} \frac{RE1}{r_{i1} + RE1} \)
Der erste Teil ist die modifizierte Spannungsverstärkung.
Die Amplitude der Eingangsspannung wird kleiner.
Der zweite Teil ist sehr klein < ue.
Mit Lastwiderstand:
Da der Lastwiderstand viel kleiner als der Ausgangswiderstand ist
fliesst der Strom nur durch den Lastwiderstand.
Der Ausgangswiderstand kann vernachlässigt werden.
Durch RE fliesst näherungsweise der Strom β iB.
Es wirkt also ein Widerstand β RE.
β ib = gm · ube
ube = ib · ri
β = gm · ri
β RE = gm · ri · RE
Modifizierter Spannungsteiler
Mit RE gibt es immer noch eine Änderung des Arbeitspunktes IC bei Änderung der Temperatur.
Durch Einsatz einer temperaturstabilen Stromquelle kann dies vermieden werden.
Diskrete Schaltungen versuchen mit möglichst wenigen Bauteilen eine Schaltung zu realisieren.
Bei integrierten Schaltungen kann man wesentlich mehr Transitoren einsetzen ohne die Kosten
wesentlich zu erhöhen.
Es gibt im Praktikum, wie gezeigt, temperaturstabile integrierte Stromquellen.
Obere Eckfrequenz
Im Transistormodell ist CJC = 7.306E-12 und CJE = 22.01E-12.
Es gibt also 2 Eckfrequenzen.
Eine am Eingang und eine am Ausgang.
Eingang
ohne RE
Kleinsignalwiderstand:
Rsig parallel R1 parallel R2 parallel ri .
\( R = \frac{1}{\frac{1}{Rsig} + \frac{1}{R1} + \frac{1}{R2} + \frac{1}{ri} } \)
LTSPICE: f3dB1 =2.4 MHz
av = 42 dB, vu = 126
R = 89.4 Ω
Cin = CJE + vu CJC = 941 pF
f3dB1 = 1.89 MHz
In der AC Simulation sieht man, wie auch die Spannnung UB bei dieser Frequenz kleiner wird.
Ausgang
ohne RE
LTSPICE: f3dB1 = 300 MHz
\( R = \frac{1}{\frac{1}{ro} + \frac{1}{RL} + \frac{1}{RC} } = 760 \Omega \)
Cout = CJC = 7.3 pF
f3dB2 = 28.7 MHz
Hier ist ein grosser Unterschied.
Noch nicht verstanden.
Nicht ganz so wichtig.
Eckdaten Common Emitter
T = 300 K, VT = 25.85 mV
β =179, IS = 14.34 fA,
VA = 74.03 V, VCC = 12 V
RSig = 100 Ω, RL = 100 kΩ
Eckdaten:
IC = 5 mA
Ri = , Ro = , vu =
avu = 20 log(vu)
Bandbreite: f3dbmin, f3dBmax
Stromverstärkung: vi
Leistungsverstärkung: vP
Gesamtleistung: P
Stromverstärkung:
ic = β ib
Leistungsverstärkung:
P = i * u
vP = β vu
Optimierung BJT CE Schaltung
Nutzung der Simulation
Kapazitätsänderung (CC1, CC2, CE)
Änderung IC (RC, RE, R1, R2)
Verstärkung kleiner oder größer (REAC, RC)
Die Änderungen in der Simulation werden mit den Gleichungen verglichen.
Zusammenfassung und nächste Vorlesung
Excercise U2.6, 36,37
Überschlägige Rechnung, genauer LTSPICE
Zusammenhang Bauteilparameter und Schaltungseigenschaften