Hochschule Kempten      
Fakultät Elektrotechnik      
Schaltungstechnik       Fachgebiet Elektronik, Prof. Vollrath      

Schaltungstechnik

06 07 MOSFET

Prof. Dr. Jörg Vollrath


05 Emitterschaltungs Variationen


Video der 6. Vorlesung 31.3.2021


Länge: 1:02:43
0:2:35 Aufgaben zum Rechnen

0:4:44 BJT Schaltungskonfigurationen Exercise U2.6

0:10:40 Circuit A Q2

0:15:0 Circuit B Radio

0:17:45 Kollektorschaltung

0:25:10 Schaltung D

0:28:44 Schaltung E

0:36:45 Frequenzgangsmessung Praktikum

0:41:25 MOSFET Kleinsignalersatzschaltbild

0:43:13 Arbeitspunkteinstellung

0:44:53 Kleinsignalersatzschaltbild

0:50:43 Äquivalentes Ersatzschaltbild

0:59:3 Ersatzwiderstände R11, R12


Video der 7. Vorlesung 13.4.2021


Länge:
0:0:8 Kaskode Widerstand R1

0:3:46 Lösung mit Knoten und Maschengleichung, Stromgleichungen

0:7:21 Einfachste Lösung BasisschaltungsKESB aus Stromgleichung

0:15:31 Ungenaue Rechnung, Streuung der Bauelemente

0:21:36 Übertragungsfunktion AC

0:26:46 Verbesserung R Common Collector

0:29:19 Nachdenken über die Lösung

0:34:9 MOSFET Sourceschaltung

0:34:44 Unterschiede

0:38:6 Schaltungsvariationen

0:39:9 Schaltungsanalyse

0:46:14 R1 mit Miller in Ersatzwiderstände transformieren

0:51:31 LTSPICE

0:53:12 Stromvergleich

0:55:29 FFT und Klirrfaktor

0:56:59 AC Analyse f3dB

Rückblick und Übersicht


Heute


Aufgaben


Nächste Woche 7.4.2021 keine Vorlesung

Umfrage BJT Konfigurationen U2.6, 36, 37

BJT Aufgabe

MOSFET Aufgabe


Bitte schicken Sie mir eine abfotografierte Lösung als pdf bis zum 9.4.2021.
Bereiten Sie sich auf den Versuch 1 vor. (Simulation/Rechnung)
Moodle check Anleitung

Cascode, common gate U2.4, 32


Ic = 4.8 mA
Equivalent circuit diagram with Ctransistor and ro
Voltage gain
CB amplifier characteristics
Verify results with SPICE

Formeln U2 S.17 (Gesteuerte Quelle) und S. 13 (Transistor)




Die Kleinsignalparameter ri, ro erhält man durch Ableitung der Stromgleichung.

\( I_C = I_S e^{\frac{U_{be}}{U_T}} \left( 1 + \frac{U_{CE}}{U_{EA}} \right) \)

Common Emitter:
\( r_{iCE} = \beta \cdot r_e = \beta \frac{U_T}{I_C} = 1 k\Omega \) \( g_{mCE} = \frac{I_C}{U_T} = 0.2 S \) \( r_{oCE} = \frac{U_A}{I_C} = \frac{70 V}{5 mA} = 14 k\Omega \)
Common Base:
\( r_{iCB} = \frac{U_T}{I_C} = 5 \Omega \) \( g_{mCB} = \frac{I_C}{U_T} = 0.2 S \) \( r_{oCB} = \frac{U_A}{I_C} = \frac{70 V}{5 mA} = 14 k\Omega \)

Spannungsverstärkung:
Eingangsspannungsteiler:
\( R = \frac{1}{\frac{1}{R_1} + \frac{1}{R_2} + \frac{1}{R_{ice}}} = 880 \Omega \)
\( A_1 = \frac{R}{R_{sig} + R} = 0.9 \)

Common Emitter Schaltung:
A2 = - gmCE · ( roCE || riCB ) = - 1

Common Base Schaltung:
A3 = gmCB · ( roCB || RC || RL ) = 150

Gesamtverstärkung:
A = A1 · A2 · A3 = - 135

Common Collector, Emitter Follower U2.5, 33


ie=5.02mA
Calculate and confirm values: R1, R2
IR2 = 10 IB
SPICE: DC and AC Analysis
Calculate: ro, Rin, Ro, ai, Av, GV, Ap

Reference: Microelectronic Circuit Design, Jeager Balock, 14.3 886

Ersatzschaltbild für den Eingangswiderstand und die Spannungsverstärkung.


rpi = β · re
\( u_o = \beta \cdot i_b \cdot R_L \)
\( u_{i} = i_b \cdot r_{pi} + \beta i_b \cdot R_L \)

\( R_i = r_{pi} + \beta \cdot R_L \)

\( A_{v} = \frac{u_o}{u_i} = \frac{\beta \cdot i_b \cdot R_L}{i_b \cdot r_{pi} + \beta \cdot i_b \cdot R_L} = \frac{\beta \cdot R_L}{ r_{pi} + \beta \cdot R_L} \)

\( R_{o} = \frac{u_{e2}}{i_{e2}} \)

\( i_{e2} = - i_b - \beta i_b \)

\( u_{e2} = - i_b ( R_{pi} + R_{th}) \)

\( R_{o} = \frac{R_{pi} + R_{th}}{\beta } \)

Der Lastwiderstand ist parallel zu Ro geschaltet.

Nachdenken über die Lösung


Es sind anspruchsvolle Aufgaben
Es hilft die Transistorpinbezeichnungen (B, E, C) in den Ersatzschaltbildern einzutragen.
Umzeichnen hilft.
Wie viel Zeit wende ich auf?
Welche Hilfsmittel nehme ich in Anspruch?

Praktikum Messung Frequenzgang


Gruppe AA1..7 Mo 12.04.2021
Coronaschnelltest


MOSFET Kleinsignalersatzschaltbild


Solange man nicht die oberen Eckfrequenzen berechnen möchte lässt man die Kapazitäten weg.
Ce = vu * Cox/2
Co = Cox/2

MOSFET Sourceschaltung

Ähnliche Werte wie die Bipolarschaltung, um die Schaltungen zu vergleichen.
RL = 100k, CC1, CC2, C1 = 10 µF, R2 = 600 Ω, RD = 1000 Ω, VCC = 12 V
Vth = 1.24 V, KP = 158 mAV-2;, λ = 0.002 V-1

Welche Unterschiede gibt es zum bisherigen Kenntnisstand?
Berechnung der obigen Schaltung:
Welche Parameter werden gesucht?
Wie geht man vor?
R1 wird mit dem Millereffekt im Ersatzschaltbild aufgeteilt in:
R11 = R1 / vu
R12 = R1

MOSFET Sourceschaltung Variationen


Startpunkt links oben: Bipolartopologie mit verbessertem Gatebias.
Rechts oben: Die Stromquelle oben erhöht den Ausgangswiderstand und die Verstärkung.
Die Gegenkopplung R6, R8 vereinfacht die Einstellung der Verstärkung.
Die Schaltung rechts unten hat die kleinste 1. harmonische und einen Unterschied von -7 dB - (-84 dB) = 77 dB und damit den kleinsten Klirrfaktor.
Dies entspricht 77 dB / 6 dB = 13 Bit

Zusammenfassung und nächste Vorlesung

Nächstes Mal: 08 Stromquellen