Hochschule Kempten      
Fakultät Elektrotechnik      
Elektronik 3       Fachgebiet Elektronik, Prof. Vollrath      

Elektronik 3

08 Rauschen

Prof. Dr. Jörg Vollrath


07 Bipolartransistor


Video Rauschen

Rückblick und Heute

Reinhold: Kap. 7; S. 125-131
Jaeger: p. 1204,p. 823

Motivation Rauschen


Warum interessiert mich Rauschen?

Rauschen

  • Ein störendes Signal in einem Schaltkreis
  • Versuchsaufbau
    • Quelle, Schaltung, Messgerät (Oszilloskop, Spektrum Analysator)
  • Oszilloskop Messung
    • Zeit: x-Achse
    • Amplitude: y-Achse
    • Überlagerung von verschiedenen Frequenzen
  • Spektrum Analysator
    • Frequenz: x-Achse
    • Leistung (Amplitude):
    • y-Achse
    • Angabe: Rauschspannung \( \frac{V}{\sqrt{Hz}} \)


Rauschen und das Oszilloskop




Am Oszilloskopbild kann man das Rauschen durch zufällige Werte um einen Mittelwert herum sehen.
Es gibt einen Mittelwert und einen Effektivwert (RMS: root mean square).
\( U_{RMS} = \sqrt{U_{DC}^2 + U_{noise}^2} \)

Bei dieser Darstellung treten nur diskrete Spannungswerte mit einer Schrittweite von ca. 1 mV auf. Diese Auflösung wird von der Auflösung des Analog-Digitalwandlers vorgegeben.

Man kann das Signal mit einer FFT in den Frequenzbereich übertragen.

Eingangsbezogenes Rauschen

Messung am Ausgang
Wie überlagert sich das Rauschen dem Quellsignal?

Verstärkung A

Beispiel

An einem Verstärker mit einer Verstärkung von 100 wird ein weißes Rauschspektrum (konstant über der Frequenz) von Gleichspannung bis 100MHz von \( 10 \frac{nV}{\sqrt{Hz}} \) gemessen.
Berechnen Sie die Eingangsrauschspannung.

Widerstandsrauschen

  • Statistische Stromschwankung durch thermische Bewegung der Ladungsträger.
    • Rauschstrom
    • Rauschspannung
  • Ersatzspannungsquelle
  • Ersatzstromquelle

Addition von Quellen:
\( U_{r} = \sqrt{ \sum_{i=1}^{n} U_{ri}^{2}} \)
\( U_{rR}^2 (f) = 4 k T R \)
\( U_{rR,rms}^2 = \int U_{rR}^2 (f) df = 4 k T R \Delta f \)
\( U_{rR,rms} = \sqrt{4 k T R \Delta f} \)

\( I_{rR,rms} = \sqrt{\frac{4 k T \Delta f}{R}} \)

Beispiel: Δ f = 100 MHz
k = 13.8 · 10 -24 J/K
T = 300 K
R [Ω]1k100k1M
Ur(f) [nV Hz-0.5] 4.1 41129
Urms [mV] 0.040.41.2
Upp [mV] 0.242.447.7

Amplitude, Spektrum, Histogram


Gaussverteilung


Vpp = 6.6 Vrms

(Cresting factor, Scheitelfaktor)

Simulation Rauschen mit FFT in Javascript

Kann man die Eigenschaften von weissen Rauschen mit einer Simulation bestätigen?

JavaScript

1. Versuch
Zufallszahlen erzeugt mit Math.random() 0..1
Erzeugung der FFT und des Histogramms
2. Versuch
Erzeugung der FFT mit zufälliger Phase
Erzeugung der Zeitdaten und des Histogramms.
Gaussverteilung, Vpp = 6.6 Vrms (Cresting factor, Scheitelfaktor)

Spektrum und Noise Density
Ein Spektrum verteilt den Effektivwert auf NFFT einzelne Frequnezen.
Ein Spektrum normiert die Spectral Density mit 1 Hz.
Ae = 20 log(en)
Effektivwert vom Spektrum:
Ae + 20 * log(NFFT/2)

Widerstandsrauschen


\( U_{nR} = \sqrt{4 k T R BW} \)

\( BW = \frac{\pi}{2} f_{3dB} \)

Es wird die Bandbreite BW eines Tiefpasses \( \frac{\pi}{2} \) zu Grunde gelegt.
Ein Widerstand von 1 MOhm hat bei einer Bandbreite von 100 Hz eine Rauschspannung größer 1 uV.

Beispiel ohmsche Widerstände

Berechnen Sie die effektive eingangs- und ausgangsbezogene Rauschspannung im Bereich bis 1kHz.

LTSPICE Verifikation

\( U_{rout}(f) = 3.81 \frac{nV}{\sqrt{Hz}} \)
'Strg' click auf die Beschriftung
\( U_{rout, rms} = 122.7 nV \)

Nachdenken über die Lösung

Beispiel RC Rauschen

Berechnen Sie die effektive ausgangsbezogene Rauschspannung.
Vergleich einer Mittelwertbildung und eines RC Schaltkreises.

Diodenrauschen

  • Schrotrauschen (Shot noise)
    • Ladungsträger überschreiten Grenzflächen (Potenzialbarrieren)
      \( I_{rDS}(f)=\sqrt{2 q I} \)
    • I Diodenstrom, Arbeitspunktstrom, q Elementarladung
  • Funkelrauschen (Flicker noise,1/f)
    \( I_{rDF}(f) = \sqrt{\frac{K_F I^{AF}}{f^{b}}} \)
    • KF, AF und b Materialparameter
    • Silizium KF=10-16, AF=1, b=1
  • Thermisches Rauschen \( I_{rDR}(f) \)
    • Bahnwiderstände der Diode
  • Summe
    \( I_{rD}(f) = \sqrt{2 q I + \frac{K_F I^{AF}}{f^{b}} + I_{rDR}^{2} (f) } \)

Diodenrauschersatzschaltung

Transistorrauschen

  • Bipolartransistor: Diode BE, BC
  • Feldeffekttransistor
    • Kanalrauschen IrK
    • 1/f Rauschen IrKF
    • Thermisches Kanalrauschen IrKt
    • Schrotrauschen Drain-Bulk, Source Bulk
\( I_{rK}(f) = \sqrt{I_{rKt}^{2}(f) + I_{rKF}^{2}(f)} \)
\( I_{rKF}(f) = \sqrt{\frac{K_F I_D^{AF}}{C_{ox} f^b}} \) \( I_{rKt}(f) = \sqrt{\frac{8}{3} k T g_m } \)

Rauschfaktor

  • Signal Rausch Abstand
    • Signal to noise ratio (SNR)
    • Quotient aus Signalleistung Ps und Rauschleistung Pr
  • Rauschfaktor, Rauschzahl:
    • Verhältnis der Signalrauschabstände von Eingang und Ausgang
  • Rauschmaß: logarithmierter Rauschfaktor
\( SNR = \frac{P_S}{P_r} \)
\( SNR_{dB} = 10 \cdot log \left( \frac{P_S}{P_r} \right) = 10 \cdot log \left(P_S\right) - 10 \cdot log \left(P_r\right)\)
\( F = \frac{SNR_E}{SNR_A} \)
\( F_{dB} = 10 \cdot log \left( F \right) \)

Rauschen eines Operationsverstärkers

  • Das Rauschen eines Operationsverstärkers kann durch eine weisse Rauschstromquelle ieop und eine weisse Rauschspannungsquelle veop modelliert werden.
  • Die Beschaltung mit Widerständen enthält zusätzliche Rauschquellen.
  • Für jede Quelle wird die Ausgangsrauschspannung für eine gegebene Bandbreite mit der Übertragungsfunktion bestimmt
  • Die Spannungsquellen werden zusammengefasst.
    Wurzel der Summe der Quadrate

Berechnung Rauschen einer Opamp Schaltung

  • Berechnen Sie den Effektivwert der äquivalenten Rauschspannung am Ausgang.
T = 80 C
R1 = 4kΩ
R2 = 1kΩ
veop = 3 nV/\( \sqrt{Hz} \)
ieop = 30 fA/\( \sqrt{Hz} \)
GBW = 10 MHz
Berechnen Sie den Beitrag der einzelnen Rauschquellen am Ausgang.
Wie groß ist die äquivalente Ausgangsspannungsquelle?
Welchen peak to peak Wert der Ausgangsrauschspannung erwarten Sie?
Wie groß ist die äquivalente Eingangsrauschspannungsquelle?

Berechnung Rauschen einer Opamp Schaltung

  • Berechnen Sie den Effektivwert der äquivalenten Rauschspannung am Ausgang.
T = 80 C
R1 = 4kΩ
R2 = 1kΩ
veop = 3 nV/\( \sqrt{Hz} \)
ieop = 30 fA/\( \sqrt{Hz} \)
GBW = 10 MHz
Berechnen Sie den Beitrag der einzelnen Rauschquellen am Ausgang.
Wie groß ist die äquivalente Ausgangsspannungsquelle?
Welchen peak to peak Wert der Ausgangsrauschspannung erwarten Sie?
Wie groß ist die äquivalente Eingangsrauschspannungsquelle?

Zusammenfassung Rauschen

Nächstes Mal:


09 Hallmessung, Magnetfeldmessung, Solarzelle