Hochschule Kempten      
Fakultät Elektrotechnik      
Elektronik       Fachgebiet Elektronik, Prof. Vollrath      

Elektronik

22 MOSFET Schaltungen

Prof. Dr. Jörg Vollrath


21 Übung




Video der 24. Vorlesung 12.1.2021


Länge: 00:00:00
0:0:0 PFET Rechnung

0:2:0 MOSFET als Verstärker

0:3:0 Verstärker und Transistorkennlinie

0:6:0 Kleinsignalverhalten und Spannungsverstärkung

0:9:27 MOSFET Bauteil, Messung und Kennlinie

0:14:0 Messaufbau

0:16:20 Arbeitspunkt bestimmen

0:23:12 Lambda mit Gleichungen 1 und 2 (UGS = konstant)

0:29:13 Nachdenken über die Lösung

0:34:48 Schwellspannung Uth 1 und 3 (UDS = konstant)

0:40:28 KN

0:41:13 Praktische Durchführung

0:44:38 MOSFET als Spannungsverstärker

0:49:35 Schaltungssimulation in LTSPICE

0:56:13 Transistormodell in LTSPICE

0:59:55 Spannungsverstärkung Formeln

1:2:5 MOSFET als Schalter

1:4:54 Stromspitzen beim Schalten, Kapazitätsumladung

1:6:13 Helligkeit mit Pulsweitenmodulation

1:7:58 Leistungsendstufen A-Betrieb

1:11:58 Leistung P = U * I

1:14:34 Effektivwert

1:15:43 Wirkungsgrad

1:18:7 A-Betrieb 25% Wirkungsgrad

1:19:13 B und A-B Betrieb

Heute

  • MOSFET Parameter
  • MOSFET Verstärker
    • Spannungsverstärkung
    • Schalter für eine Leuchtdiode
  • Wechselspannung, Wechselstrom:
    Lautsprecher
    MOSFET Endstufen

Beispiel: MOSFET Bauteil und Kennlinie

An einem MOSFET messen Sie bei einer Gate-Sourcespannung von 2V bei UDS=3V IDS=4mA und bei UDS=5V IDS=4.4mA. Bei UGS=1.5V und UDS=3V messen Sie IDS=1mA.
Berechnen Sie \( \lambda \) , Vth und KN.

MOSFET als Spannungsverstärker

Die Eingangsspannung am Gate erzeugt eine Stromänderung IDS, die mit RD in eine Ausgangsspannung umgesetzt wird.

VSS = -1.6 V, VDD = 3.4 V
Das Schaltbild zeigt die einfachste Spannungsverstärkungsschaltung mit einem MOSFET und einem Widerstand.
Die statische Kennlinie der Schaltung mit den Spannungen und dem Strom wird links gezeigt.
Die rote Kurve zeigt die Änderung des Drain-Source-Stromes mit der Gate-Source-Spannung (Übertragungskennlinie).
Die grüne Kurve zeigt die Eingangsspannung.
Für kleine Eingangsspannungen um 0 V sieht man eine größere invertierte Ausgangsspanungsänderung.
100 mV Amplitude am Eingang (grüne Kurve im Bereich der x-Achse -0.2 V bis 0 V) erzeugt ein invertiertes Signal (blau) mit 1 V Amplitude (y-Achse 2V bis 0V). Eine Spannungsverstärkung v = ua/ue mit dem Faktor 10.
Dies könnte man auch in einer zeitlichen Simulation sehen.

Wie kann man die Spannungsverstärkung ändern?
Warum benötigt man eine negative Spannungsversorgung?
  • RD: Bestimmt die Spannungsverstärkung und den Ausgangspegel
  • Mit VSS kann man den Arbeitspunkt (UGS und IDS) bestimmen.
Rechnung:
Annahme: Der Transistor soll in Sättigung arbeiten.
0 < UGS - Uth < UDS
\( I_{DS} = \beta (U_{GS} - U_{th})^2 (1 + \lambda U_{DS} ) \)

Aus der Kennlinie sieht man, dass der Faktor \( (1 + \lambda U_{DS} ) \) in erster Näherung 1 ist.

\( I_{DS} = \beta (U_{G} - V_{SS} - U_{th})^2 \)

\( U_{a} = V_{DD} - I_{DS} R_D = V_{DD} - R_D \beta (U_{G} - V_{SS} - U_{th})^2 \)

Diese Gleichung kann man linearisieren und erhält die Spannungsverstärkung Vu:

\( v_u = \frac{ d U_{a}}{d U_{G}} = - R_D \beta 2 (U_{G} - V_{SS} - U_{th}) \)

Bei der Simulation ist RD = 37.5 kΩ, β = KP/2 = 250 µAV-2, UG = 0 V, VSS = -1.6 V und Uth = 1 V.
vu = -11.25


MOSFET als Schalter

Der Transistor schaltet die LED an oder aus.

Der Transistors wird nach dem maximalen Strom für die LED bei Betriebsspannung VDD ausgewählt.
Da der Transistor nur ein und ausgeschaltet werden kann, bestimmt man die Helligkeit der LED mit einer Pulsweitenmodulation des Ansteuersignals.
Pulsweitenmodulation: Bei einer hohen Frequenz wird das Verhältnis der Zeit von Transistor an zu Transistor aus variiert.

Bei der Simulation sieht man Stromspitzen, die durch Ladung und Entladung von Kapazitäten entstehen.
Kopplung des Eingangssignals auf den Ausgang auf Grund der Gate-Drain-Kapazität.
Ladung und Entladung der Diodenkapazität.

Leistungsendstufen Operationsverstärker AB-Betrieb

  • Verstärker im AB Betrieb
  • Niedriger Ausgangswiderstand
  • Guter Wirkungsgrad
  • Regelungsschleife mit Opamp
  • Keine tote Zone, wenig Verzerrungen
  • Ruhestrom wird durch
    VGS2 = - VPP * R2 / (R1+R2)
    VGS1 = - VPM * R4 / (R3+R4)
    eingestellt.
CMOS070.txt
Steuersignale für Aktoren haben kleine Amplituden und können keine grossen Ströme liefern. Der Quellenwiderstand Ri ist verhältnismässig gross (Einige kΩ).
Ein Leistungsverstärker wird benötigt.
Ein Operationsverstärker kann meist keine hohen Ströme (grosse Leistung) liefern, so dass eine Transistorleistungsendstufe wie gezeigt benötigt wird.
Mit dem Operationsverstärker wird eine Rückkoppelung realisiert, so dass das Ausgangssignal dem Eingangssignal folgt.
Dies gleicht die Nichtlinearitäten der Transistoren aus.

Leistungsendstufen Operationsverstärker AB-Betrieb


Dimensionierung


  • Lastwiderstand: RL, Pmax
  • Spannung und Strom:
    \( U = \sqrt{R_L \cdot P}\)
    \( I = \sqrt{\frac{P}{R_L} }\)
  • MOSFET:
    Maximaler Wirkungsgrad:
    VPP - VPM = 2 · U: RDSon < 0.01 RL
    Spannungsversorgung größer als U
    VPP - VPM > 2 · U: \( R_{DSon} = \frac{V_{PP}-V_{PM} - 2 \cdot U}{I} \)
  • Minimaler Ruhestrom:
    Ux2 = Um = 0V
    UGSP2 = Uthp
    UGSN1 = Uthn
  • Ruhestrom wird durch
    UGSP2 = - VPP * R2 / (R1+R2) = Uthp
    UGSN1 = - VPM * R4 / (R3+R4) = Uthn
    eingestellt.
  • Ux2max: IDSN1 = I
    Ux2min: IDSP1 = -I
CMOS070.txt

Bei der Dimensionierung der Schaltung werden geeignete Bauelemente für den Schaltplan ausgewählt.

Vpp = 1.5V, VPM = -1.5 V
Berechnen Sie für die gegebenen Versorgungsspannungen die Spannungen Ux2p und Ux2n für Ux1=Ux2 = 0 V.
Berechnen Sie den Strom durch R2 und R4.
Berechnen Sie den Ruhestrom IDSM2min und IDSM1min.
Berechnen Sie den maximalen Strom IDSM2max und IDSM1max (maximale . Wählen Sie Vpp, VPM so, dass der Operationsverstärker noch funktioniert und die maximal erlaubte Amplitude noch erzeugt werden kann.
Wählen Sie R1, R2, R3 und R4 so, dass der Ruhestrom minimal ist.
Für welche Leistung (Lasten) sind die Transistoren LP0701 und TN0702 geeignet?

Leistungsbetrachtung

\( P_{\sin} = \frac{V_{DD}^{2}}{2 \cdot R_{L}} \)
\( P_{VDD} = \frac{1}{T} \int_0^{T/2} V_{DD} \frac{V_{DD}}{R_{L}} sin( \frac{2 \pi}{T} t) dt \)
\( P_{VDD} = \frac{1}{T} [ - \frac{V_{DD}^2 T}{2 \pi \cdot R_{L}} cos( \frac{2 \pi}{T} t)]_{0}^{T/2} \)
\( P_{VDD} = \frac{1}{T} \frac{V_{DD}^2}{R_{L}} \frac{T}{\pi} = \frac{V_{DD}^2}{\pi R_{L}} \)
\( P_{VDD} = P_{VSS} \)
\( P_{G} = P_{VSS} + P_{VDD} = \frac{2 \cdot V_{DD}^2}{\pi R_{L}} \)
\( \eta = \frac{P_{\sin}}{P_{G}} = \frac{\frac{V_{DD}^{2}}{2 \cdot R_{L}}}{\frac{2 \cdot V_{DD}^2}{\pi R_{L}}} = \frac{\pi}{4} = 0.79 = 79 \% \)
LTSPICE < ctrl > < left mouseclick >:

Bei sinusförmiger Wechselspannung bestimmt man die mittlere (average) Leistung.

Dabei findet man heraus, dass die mittlere Wechselspannungsleistung einer Gleichspannungsleistung mit einer Gleichspannung
\( U_{Gleich} = \frac{\hat{u}_{Wechsel}}{\sqrt{2}} \)
und einem Gleichstrom
\( I_{Gleich} = \frac{\hat{i}_{Wechsel}}{\sqrt{2}} \)
entspricht.

\( P = U \cdot I = \frac{\hat{u}}{\sqrt{2}} \cdot \frac{\hat{i}}{\sqrt{2}} = \frac{\hat{u} \cdot \hat{i}}{2} \)

Ringoszillator

Je höher die Versorgungsspannung ist, desto höher ist die Frequenz und die umgesetzte Leistung.
Bei PCs wird dies genutzt, um mit hoher Spannung höhere Taktfrequenzen zu ermöglichen (Overclocking) oder mit niedriger Spannung die benötigite Leistung zu vermindern (Mobile Geräte).
Die minimale Spannung wird von den Schwellspannungen der Transistoren bestimmt. Die maximale Spannung wird von der Transistorlänge und der Dotierung bestimmt, da sich die Raumladungszonen von Drain und Source zur Verhinderung eines Durchbruchs nicht berühren dürfen.

Ladungspumpe, Pelliconi Charge pump,

  • MOS Transistor als Schalter: X1, X2, X3, X4
  • Ladungsspeicher C1, C2
  • Start: Alle Knoten 0 V.
  • Phase(1): Phi1 high (VDD), Phi2 low
    • M1:off, M9:on
    • M2:on, M8:off
    • In is charging C2: VDD
    • Out is connected to C1: VDD
  • Phase(2): Phi1 low, Phi2 high (VDD)
    • M1:on, M9:off
    • M2:off, M8:on
    • In is charging C1: VDD
    • Out is connected to C2: 2 VDD
  • C1,C2: 10 uF
  • C3: 1 uF
Eine Ladungspumpe kann Spannungen erzeugen, die größer sind als die Versorgungsspannung oder negativ sind. Jede Stufe kann erhöht oder erniedrigt die erzeugte Spannung um eine Versorgungsspannung.
Zum Verständnis der Schaltung führt man die Simulation per Hand durch.
Bei einer Änderung der Spannung an Phi1 wird die Spannungsdifferenz an C1 entsprechend verschoben.
Achtung: Bulk der PFETs muss mit der größten Spannung verbunden sein.

Bei negativen Spannungen wird Eingang und Ausgnag vertauscht und der Bulk Anschluss der NFETs mit der negativsten Spannung verbunden.

ChargeN.asc

Da im idealen Fall die Eingangsleistung gleich der Ausgangsleistung ist, wird bei erhöhter Spannung am Ausgang der Ausgangsstrom entsprechend kleiner.
Dies ist bei der Dimensionierung der Schaltung zu beachten.

Mehrere Stufen

  • Es dauert einige Zeit bis die Ausgangsspannung erreicht ist.
  • Ausgangsspannungsschwankungen
Bei n Stufen ergibt sich eine Spannung von n · VDD.

Praktische Realisierung

Ladungspumpe          Ringoszillator

Ringoszillator


C = 470 nF, f = 1kHz, VDD = 4 V.
Bei der Ladungspumpe wird die Spannung ohne Last von 4 V auf 8 V verdoppelt.
Mit einer Last von 68kΩ reduziert sich die Spannung.

VDD [V] 2 3 4 5 6
f [kHz]2272100450068008900

Je höher die Spanung, desto größer die Frequenz.

Spannungsregler

  • Ein Operationsvertärker steuert einen sehr grossen MOSFET (M1) an.
  • Der Op vergleicht die Ausgangsspannung (U1) mit einer Referenzspannung(Uref).

Nächste Vorlesung:



23 Induktivitäten und Kapazitäten