Berechnen Sie die Elektronen und Löcherdichte eines Siliziumhalbleiters bei einer Donatorendichte von
ND = 1018 cm-3 bei T = 300K und
Störstellenerschöpfung. (ni= 1.5 * 1010 cm-3 )
Es wird ein 15µm langer, 2 µm breiter und 1 µm tiefer Widerstand realisiert.
Berechnen sie den spezifischen Widerstand, den spezifischen Leitwert und den
Widerstand des dotierten Gebietes bei Raumtemperatur.
(µp = 190 cm2V-1s-1,
µn = 460 cm2V-1s-1,
e = 1.6 * 10-19C)
\( n \cdot p = n_{i}^{2} \)
\( n = N_ {D} = 10^{18}cm^{?3} \)
\( p = \frac{n_i^{2}}{N_D} = 2.25 \cdot 10^{2}cm^{?3} \)
\( \kappa = e \cdot ( \mu_n \cdot n + \mu_p \cdot p)
= 1.6 \cdot 10^{-19} C ( 460 cm^{2}V^{-1}s^{-1} \cdot 10^{18}cm^{?3}
+ 190 cm^{2}V^{-1}s^{-1} \cdot 2.25 \cdot 10^{2}cm^{?3} )
= 73.6 \Omega^{-1}cm^{-1} \)
\( \rho = \frac{1}{\kappa} = 13.6 m\Omega cm \)
\( R = \frac{\rho \cdot l}{A}
= \frac{15 \mu m}{\kappa \cdot 2 \mu m \cdot 1 \mu m}
= 1.03 k\Omega \)
Aufgabe 2: Halbleiter Sperrschichtdicke
Berechnen Sie die Diffusionsspannung und die Sperrschichtdicke
(Raumladungszonendicke) einer Siliziumdiode
mit NA=1 · 1017 cm-3
und ND=1 · 1020cm-3.
εSi= 11.8 *ε0
= 11.8 * 8.85 * 10-14F cm-1, e = 1.6 * 10-19C;
kT/e = 0.025V; ni = 1.5 * 1010cm-3.
Für einen Bipolartransistor wurden folgende Werte gemessen: IB = 7 µA,
IC1 = 1.43 mA bei UC1 = 2 V und
IC2 = 1.83 mA bei UC2 = 22 V.
Allgemein und zahlenmäßig sind die Werte UEA und
β zu bestimmen. IB2 angeben!
An einem MOSFET messen Sie bei einer Gate-Sourcespannung von 2 V bei UDS = 3 V
IDS = 4 mA und bei UDS = 5 V IDS = 6 mA.
Bei UGS = 1 V und UDS = 3 V messen Sie IDS = 1 mA.
Berechnen Sie λ, Vth und KN.
An einer idealen Diode mit einem Serienwiderstand RS werden folgende Messungen gemacht.
Messung
1
2
3
4
VDiode [V]
1.6
0.9
0.56
1.7
IDiode [mA]
420
0.2
0.001
580
Arbeitsbereich
1. In welchen Arbeitsbereichen befindet sich die Diode bei den Messungen 1..4?
(2 Punkte)
2. Bestimmen Sie näherungsweise Is, n und den Serienwiderstand RS.
(UT = 0.025 V) (5 Punkte)
3. Bestimmen Sie den Kleinsignalwiderstand im Arbeitspunkt 2. (2 Punkte)
Messung 2 und 3 befinden sich im Durchlassbereich, im exponentiellen Teil der Kennlinie.
\( I_{Diode} = I_{S} e^{\frac{U_{Diode}}{nU_{T}}} \)
Für n wird (3)/(2) verwendet:
\( \frac{I_{Diode3}}{I_{Diode2}} = \frac{I_{S} e^{\frac{U_{Diode3}}{nU_{T}}}}
{I_{S} e^{\frac{U_{Diode2}}{nU_{T}}}} \)
\( \frac{I_{Diode3}}{I_{Diode2}} = e^{\frac{U_{Diode3} - U_{Diode2} }{nU_{T}}} \)
\( log\left(\frac{I_{Diode3}}{I_{Diode2}} \right) = \frac{U_{Diode3} - U_{Diode2} }{nU_{T}} \)
\( n = \frac{U_{Diode3} - U_{Diode2} }{U_{T} log\left(\frac{I_{Diode3}}{I_{Diode2}} \right) } = 2.57 \)
Für IS wird n in (2) oder 3 eingesetzt.
\( I_{S} = \frac{I_{Diode}}{e^{\frac{U_{Diode}}{nU_{T}}}} = 0.158 nA \)
Bei Messung 1 und 4 wird der Strom durch den Serienwiderstand begrenzt.
\( R = \frac{U_{Diode4} - U_{Diode1}}{I_{Diode4} - I_{Diode1}} = \frac{-0.1 V}{-160 mA} = 0.625 \Omega \)
Gegeben ist folgender Spannungsteiler aus drei gleichen NMOS Transistoren:
Kn=250µA/V2,
VthN=0.6V,
VDD=5V.
1. Berechnen Sie die Ausgangsspannung V2. (Arbeitspunkt)
2. Berechnen Sie den Strom IDSM1.
3. Zeichnen Sie das Kleinsignalersatzschaltbild.
4. Berechnen Sie den Ausgangswiderstand.
Gegeben ist folgender Spannungsteiler:
R1 = 10 kΩ Kn = 250 µA/V2,
VthN = 0.6 V,
Ve = 5V, λ = 0.001 V-1.
1. Berechnen Sie die Ausgangsspannung Va. (Arbeitspunkt)
2. Zeichnen Sie das Kleinsignalersatzschaltbild.
3. Berechnen Sie den Ausgangswiderstand.
Es ist ein Spannungsteiler aus Widerstand und Transistor mit dem gleichen Strom I.
\( I = \frac{V_{e} - V_{a}}{R_1} = I_{DS} = \frac{K_N}{2} \left( V_{a} - U_{th} \right)^2 \)
\( V_{e} - V_{a} = \frac{K_N \cdot R_1}{2} \left( V_{a}^{2} - 2 \cdot V_{a} \cdot U_{th} + U_{th}^{2} \right) \)
\( V_{a}^{2} - 2 \cdot V_{a} \left( U_{th} - \frac{1}{K_N \cdot R_1} \right)
+ U_{th}^{2} - \frac{2 \cdot V_{e}}{K_N \cdot R_1} = 0 \)
\( A = - \left( U_{th} - \frac{1}{K_N \cdot R_1} \right) = -0.2 V \)
\( B = U_{th}^{2} - \frac{2 \cdot V_{e}}{K_N \cdot R_1} = -3.64 V^{2}\)
x2 + 2 A x + B = 0
\( x_{1,2} = -A \pm \sqrt{A^{2} - B} \)
\( V_{a1,2} = 0.2 V \pm \sqrt{0.04 V^2 + 3.64 V^2 } = 2.12 V, -1.72 V\)
\( g_{m} = \frac{ 2 \cdot I_{DS}}{U_{GS} - U_{th}}
= K_N \left( V_{a} - U_{th} \right)
= 250 \frac{\mu A}{V^{2}} \left( 2.12 V - 0.6 V \right) = 380 \mu S \)
1. Bestimmen Sie den Arbeitspunkt folgender Schaltung.
Kn = 500 µA/V2,
Vthn = 1 V
und λ = 0.0133 V-1.
2. Zeichnen Sie das Kleinsignalersatzschaltbild.
3. Berechnen Sie die Spannungsverstärkung, den Kleinsignaleingangswiderstand
und den Kleinsignalausgangswiderstand.
4. Berechnen Sie die Spannungsverstärkung,
wenn Sie eine Spannungsquelle mit einem Innenwiderstand von 100 kΩ
am Eingang anschließen und einen Lastwiderstand von 100 kΩ am Ausgang.
Gegeben ist folgende Sourceschaltung:
Der NMOS Transistor hat folgende Parameter:
KNN = 500 µA/V2,
Vthn = 1 V und
VDD =10 V
Die Ausgangsspannung VD soll die halbe Betriebsspannung sein.
Die Schaltung soll mit 250 µA betrieben werden.
Der Eingangswiderstand soll 1 MΩ sein.
Dimensionieren Sie R1 und R2 und berechnen Sie die
Spannungsverstärkung.
VDD = 5 V, λ = 0.001 V-1,
KPN = KPP = 1 mA/V2,
Vthn = 1.5 V, Vthp = -1.5 V
Berechnen Sie die Spannungen am Punkt E und C.
Berechnen Sie den Strom IDSM4.
Berechnen Sie den Eingangswiderstand und die Spannungsverstärkung.
Ein invertierender Verstärker ist für eine Verstärkung von Av = 30 dB und einen Eingangswiderstand von
re = 5 kΩ zu dimensionieren.
1. Bestimmen Sie die Widerstände.
2. An dem Verstärker misst man eine Grenzfrequenz von 1 MHz. Wie groß ist die Transitfrequenz.
Der Verstärker ist nicht stabil. Kompensieren Sie den Verstärker mit einer Kapazität, so das sich eine
Grenzfrequenz vom 200 kHz einstellt.
Zeichnen Sie das Schaltbild und bestimmen Sie den Wert der Kapazität.
(R1 = 5 kΩ, R2 = 158 kΩ, ft = 31.62 MHz, C = 5.04 pF)
R1 = Re
\( v_{u} = - \frac{R_2}{R_1} = - 10^{\frac{30}{20}} = - 31.62 \)
\( R_2 = R_1 \cdot 10^{\frac{30}{20}} = 158 k\Omega \)
\( f_t = v_{u} f_g = 31.62 \cdot 1 MHz = 31.62 MHz \)
\( \frac{v_a}{v_{e}}= -\frac{\frac{1}{\frac{1}{R_2}+j \omega C}}{R_1} \)
\( \frac{v_a}{v_{e}}= -\frac{1}{\frac{R_1}{R_2}+j \omega C R_1} \)
Die 3 dB Grenzfrequenz findet man, wenn der Imaginärteil gleich dem Realteil des
Nenners der Übertragungsfunktion ist.
\( C = \frac{1}{2 \Pi R_{2} f_{g1}}
= \frac{1}{2 \Pi 158 k\Omega 200 kHz}= 5.04 pF\)
Aufgabe 2: Frequenzgang
R1 = 100 kΩ,
R2 = 100 kΩ,
C1 = 4 µF,
C2 = 40 pF.
Bestimmen Sie die Übertragungsfunktion (Transfer function \( \underline{T} (j\omega ) \) ) und die Eckfrequenzen.
Bestimmen Sie die maximale Verstärkung.
Nach Anwendung des komplexen ohmschen Gesetzes \( \underline{U} = \underline{I} \cdot \underline{Z} \)
und kürzen von \( \underline{I} \) wird der Gesamtbruch mit \( j \omega C_2 + \frac{1}{R_2} \) erweitert.
\( \underline{T} (j\omega ) = \frac{\underline{V}_{a}}{\underline{V}_{e}}
= \frac{\frac{1}{j \omega C_2 + \frac{1}{R_2}}}
{R_1 + \frac{1}{j \omega C_1} + \frac{1}{j \omega C_2 + \frac{1}{R_2}}}
= \frac{1}
{(j \omega C_2 + \frac{1}{R_2})\cdot (R_1 + \frac{1}{j \omega C_1}) + 1}
\)
Damit man im Zähler und Nenner jeweils ein Polynom von jω bekommt, wird mit j ω C1 erweitert.
Der Nenner wird ausmultipliziert und nach Potenzen von jω sortiert.
\( \frac{\underline{V}_{a}}{\underline{V}_{e}} = \frac{j \omega C_1}
{(j \omega C_2 + \frac{1}{R_2})\cdot (j \omega C_1 R_1 + 1) + j \omega C_1}
= \frac{j \omega C_1}
{(j \omega)^{2} C_2 C_1 R_1 + j \omega \left( \frac{C_1 R_1}{R_2} + C_2 + C_1 \right)
+ \frac{1}{R_2}}
\)
Die Vorfaktoren der höchsten Potenz von jω werden im Zähler und Nenner ausgeklammert.
\( \frac{\underline{V}_{a}}{\underline{V}_{e}} = \frac{1}{C_2 R_1} \frac{j \omega}
{(j \omega)^{2} + j \omega \left( \frac{1}{R_2 C_2}
+ \frac{C_2 + C_1}{R_1 C_1 C_2} \right)
+ \frac{1}{C_2 C_1 R_1 R_2}}
\)
Zur Anwendung der Mitternachtsformel wird jω mit x ersetzt und die Hilfsvariablen b und c eingeführt.
\( x^2 + b x + c = 0 \)
\( x_{1,2} = - \frac{b}{2} \pm \sqrt{\frac{b^2}{4} - c } \)
\( b = \frac{1}{R_2 C_2} + \frac{C_2 + C_1}{R_1 C_1 C_2} = 5 \cdot 10^{5} s^{-1}\)
\( c = \frac{1}{C_2 C_1 R_1 R_2} = 6.25 \cdot 10^{5} s^{-2} \)
\( x_{1,2} = - \frac{b}{2} \pm \sqrt{\frac{b^2}{4} - c } \)
Mathnotepad
\( \omega_1 = 1.25 s^{-1} \)
\( \omega_2 = 5 \cdot 10^{5} s^{-1} \)
\( f_1 = 0.2 Hz \)
\( f_2 = 79.6 kHz \)
Übertragungsfunktion:
\( \frac{\underline{V}_{a}}{\underline{V}_{e}}
= \frac{1}{4 \cdot 10^{-6} s} \frac{j \omega}
{(j \omega + 1.25 s^{-1})
(j \omega + 5 \cdot 10^{5} s^{-1})}
\)
Die maximale Verstärkung tritt im Durchlassbereich des Filters auf,
wenn der komplexe Widerstand von C1 sehr klein ist und der komplexe
Widerstand von C2 noch sehr gross ist.
Es bleibt ein Spannungsteiler R1, R2 übrig.
Die Ausgangsspannung Va ist dann halb so gross wie Ve.
vmax = 0.5
amax = -6 dB
Die Werte kann man mit der AC LTSPICE Simulation des rechts abgebildeten Schaltkreises
verifizieren.
Ein Halbleiter ist entsprechend dem Bild mit 3 · 1018 cm-3 Bor
und 1 · 1017 cm-3 Phosphor dotiert.
1.1. Zeichnen Sie das elektrische Schaltbild der Diode und markieren Sie die
n- und p-dotierten Gebiete. (2 Punkte)
1.2. Wie groß ist die Elektronen- und Löcherdichte bei Störstellenerschöpfung
in den dotierten Gebieten (ni=1.5 · 1010 cm-3)? (2 Punkte)
1.3. Berechnen Sie die Sperrschichtweite bei einer Sperrspannung von 0.5 V.
εH = εSi · ε0
= 11.8 · 8.85 · 10-14 Fcm-1,
e = 1.6 · 10-19 C; kT/e = 0.025 V;
ni = 1.5 · 1010cm-3 (4 Punkte)
(UD = 0.87 V, ds = 0.136 µm )
Aufgabe 2: Bauelemente
An einem n-Kanal MOSFET werden folgende Messungen gemacht
Messung
1
2
3
4
5
VGS [V]
0.3
1
1.5
1.5
1.5
VDS [V]
3
5
5
0.2
7
IDS [mA]
0
1
4
1.35
4.1
Arbeitsbereich
1. In welchen Arbeitsbereichen befindet sich der Transistor bei den Messungen 1..5? (2 Punkte)
2. Bestimmen Sie λ, β und Vth. (8 Punkte)
(λ = 0.0133 V-1; Vth = 0.5 V, β = 3.75 mAV-2)
Aufgabe 3
Gegeben ist folgende Schaltung.
Kn = 250 µ A/V2,
Kp = 100 µA/V2,
VthN = 0.6 V, VthP = -0.5 V,
VDD = 5 V, λ = 0.001 V-1.
Bestimmen Sie die Spannungen VA, VB und den Strom IDSM2. (8 Punkte)
Gegeben sei folgende Operationsverstärkerschaltung.
1. Bestimmen Sie die Gleichspannungsverstärkung. (2 Punkte)
2. Bestimmen Sie den Eingangswiderstand. (1 Punkt)
3. Bestimmen Sie die Übertragungsfunktion. (2 Punkte)
4. Bestimmen Sie die 3 dB Eckfrequenz (2 Punkte)
( vU = 15, Re = ∞, f3dB = 1.42 kHz)
Ein MOSFET ist entsprechend dem Querschnitttsbild mit 1·1016 cm-3 Bor
und 1·1019 cm-3 Phosphor dotiert.
1.1. Zeichnen Sie das elektrische Schaltbild des Transistors und markieren Sie die
Anschlüsse des Transistors im Schaltbild und im Querschnitt. (2 Punkte)
1.2. Wie groß ist die Elektronen- und Löcherdichte bei Störstellenerschöpfung
in den dotierten Gebieten (ni=1.5 · 1010 cm-3)? (2 Punkte)
1.3. Zeichnen Sie die Raumladungszone zwischen Drain und Bulk in den Querschnitt
ein und berechnen Sie die Sperrschichtweite in µm bei UD = 3 V
und UB = -1 V.
εH = εSi · ε0
= 11.8 · 8.85 · 10-14 Fcm-1,
e = 1.6 · 10-19 C; kT/e = 0.025 V;
ni=1.5 · 1010 cm-3 (3 Punkte)
(UD = 0.843 V, ds = 0.7955µm )
Aufgabe 2: Bauelemente
An einer idealen Diode mit einem Serienwiderstand RS werden folgende Messungen
gemacht.
Messung
1
2
3
4
VDiode [V]
-2
0.5
1.4
1.6
IDiode
-0.3 nA
11 µA
400 mA
600 mA
Arbeitsbereich
1. In welchen Arbeitsbereichen befindet sich die Diode bei den Messungen 1..4? (2 Punkte)
2. Bestimmen Sie näherungsweise IS, n und den Serienwiderstand RS.
(UT = 0.025 V) (5 Punkte)
3. Bestimmen Sie den Kleinsignalwiderstand im Arbeitspunkt 2. (2 Punkte)
( IS = 0.3 nA, n = 1.9, RS = 1;0.97 Ω, r = 4.32 kΩ)
Aufgabe 3
Gegeben ist folgende Schaltung.
Kn = 300 µA/V2,
Kp = 100 µA/V2,
VthN = 0.7 V, VthP = -0.7 V,
VDD = 6 V, λ = 0.002 V-1.
Bestimmen Sie die Spannungen VA und den Strom IDSM2. (4 Punkte)
Zeichnen Sie das Kleinsignalersatzschaltbild und bestimmen Sie
den Kleinsignalausgangswiderstand bezüglich VA.
(VA = 2.95 V, IDSM2 = 762 µA, rA = 538 Ω )
Aufgabe 4: Transistorverstärker
Gegeben sei folgender Verstärker.
Kp = 40 µA/V2,
VthP = -0.8V,
VDD = 4V, λ = 0.003 V-1.
1. Berechnen Sie den Strom durch den Transistor M1. (2 Punkte)
2. Berechnen Sie den Kleinsignaleingangswiderstand. (1 Punkt)
3. Berechnen Sie die Eckfrequenz des Hochpasses am Eingang. (1 Punkt)
4. Zeichnen Sie das Kleinsignalersatzschaltbild. (2 Punkte)
4. Berechnen Sie den Kleinsignalausgangswiderstand. (2 Punkte)
5. Berechnen Sie die Spannungsverstärkung. (2 Punkte)
(IDS = 18.6 µA, rE= 83.8 kΩ, f3dB = 1.9 Hz,
rA = 59.8 kΩ, vU = -2.31)
Aufgabe 5: Operationsverstärker Frequenzgang
Gegeben sei folgende Operationsverstärkerschaltung.
1. Bestimmen Sie die Gleichspannungsverstärkung in dB. (2 Punkte)
2. Bestimmen Sie den Eingangswiderstand. (0.5 Punkt)
3. Bestimmen Sie die komplexe Übertragungsfunktion. (3 Punkte)
4. Bestimmen Sie die 3 dB Eckfrequenz (2 Punkte)
( vuDC = - 23, Av = 27.2 dB, RE = 20 kΩ,
f3dB1 = 319 kHz, f3dB2 = 6.77 kHz)
Das n+ Gebiet ist mit 1 · 1019 cm-3 Phosphor,
das p Gebiet mit 1·1017 cm-3 Bor und das n Gebiet
mit 1·1015 cm-3 Phosphor dotiert.
1.1. Um was für ein Bauteil handelt es sich?
Zeichnen Sie das elektrische Schaltbild des Bauteils und markieren Sie die Anschlüsse
im Schaltbild und im Querschnitt. (2 Punkte)
1.2. Wie groß ist die Elektronen- und Löcherdichte bei Störstellenerschöpfung
im p-dotierten Gebiet (ni=1.5*1010cm-3)? (2 Punkte)
1.3. Berechnen Sie die Sperrschichtweite zwischen dem n und p Gebiet in μm, bei einer Sperrspannung von 5V.
εH = εSi · ε 0
= 11.8·8.85 ·10-14 Fcm-1,
e = 1.6 ·10-19 C; kT/e = 0.025 V;
ni = 1.5·1010 cm-3 (3 Punkte)
(UD = 0.671 V, ds = 2.73 µm )
Aufgabe 2: Bauelemente
An einem MOSFET werden folgende Messungen
gemacht.
Messung
1
2
3
4
5
VGS [V]
1.5
1.75
6
1.75
3
VDS [V]
3
4
3
2
3
IDS [mA]
2.25
4.008
37.85
4.004
20.28
Arbeitsbereich
1. In welchen Arbeitsbereichen befindet sich der MOSFET bei den Messungen 1..4? (2 Punkte)
2. Bestimmen Sie Vth, β und λ. (7 Punkte)
3. Bestimmen Sie den Kleinsignalwiderstand im Arbeitspunkt 2. (1 Punkte)
(λ = 0.0005 V-1; Vth = 0.75 V,
β = 4 mAV-2, rA = 500 kΩ)
Aufgabe 3
Gegeben ist folgende Schaltung.
Kn = 400 µ A/V2,
VthN = 0.8 V,
VDD = 5 V, λ = 0.002 V-1.
Bestimmen Sie die Spannungen VG, VA und den Strom IDSM2. (4 Punkte)
(VG = 1.23 V, VA = 4.25 V, IDSM2 = 37.7 µA)
Aufgabe 4: Transistorverstärker
Gegeben sei folgender Verstärker.
NFET Kpn = 80 mA/V2,
VthN = 2 V, λ = 0.001 V-1
PFET Kpp = 20 mA/V2,
VthP = -0.5 V, λ = 0.002 V-1 VDD = 4 V, .
1. Berechnen Sie den Strom durch den Transistor M2. (2 Punkte)
2. Berechnen Sie den Kleinsignaleingangswiderstand. (0.5 Punkt)
3. Berechnen Sie die Eckfrequenz des Hochpasses am Eingang. (0.5 Punkt)
4. Zeichnen Sie das Kleinsignalersatzschaltbild. (2 Punkte)
4. Berechnen Sie den Ausgangswiderstand. (2 Punkte)
5. Berechnen Sie die Spannungsverstärkung. (3 Punkte)
(IDSM2 = 10 mA, rE = 188 kΩ, f3dB = 0.849 Hz,
rA = 33.3 k Ω, vU = -2000, Av = 66 dB )
Aufgabe 5: Operationsverstärker Frequenzgang
Gegeben sei folgende Operationsverstärkerschaltung.
1. Bestimmen Sie die Gleichspannungsverstärkung in dB. (1 Punkt)
2. Bestimmen Sie den Eingangswiderstand. (0.5 Punkt)
3. Bestimmen Sie die komplexe Übertragungsfunktion. (2 Punkte)
4. Bestimmen Sie die 3 dB Eckfrequenz (1 Punkt)
(vu = 1, rE = ∞, f3dBN = 362 Hz,
f3dB = 1.99 kHz)