Hochschule Kempten      
Fakultät Elektrotechnik      
Elektronik 3       Fachgebiet Elektronik, Prof. Vollrath      

Begleitende Übungen Elektronik 3


Übung 1: Halbleiter

Aufgabe 1: Halbleiter Widerstand


Berechnen Sie die Elektronen und Löcherdichte eines Siliziumhalbleiters bei einer Donatorendichte von ND = 1018 cm-3 bei T = 300K und Störstellenerschöpfung. (ni= 1.5 * 1010 cm-3 )
Es wird ein 15µm langer, 2 µm breiter und 1 µm tiefer Widerstand realisiert.
Berechnen sie den spezifischen Widerstand, den spezifischen Leitwert und den Widerstand des dotierten Gebietes bei Raumtemperatur.
p = 190 cm2V-1s-1, µn = 460 cm2V-1s-1, e = 1.6 * 10-19C)

Aufgabe 2: Halbleiter Sperrschichtdicke

Berechnen Sie die Diffusionsspannung und die Sperrschichtdicke (Raumladungszonendicke) einer Siliziumdiode mit NA=1 · 1017 cm-3 und ND=1 · 1020cm-3.
εSi= 11.8 *ε0 = 11.8 * 8.85 * 10-14F cm-1, e = 1.6 * 10-19C; kT/e = 0.025V; ni = 1.5 * 1010cm-3.


Ladungsträgerdichtebeispiel
Beispiel:Leitfähigkeit
Beispiel: Diffusionsspannung und Sperrschicht einer Diode


Übung 2: Bauteilparameter

Aufgabe 1: Transistorparameter Bipolartransistor

Für einen Bipolartransistor wurden folgende Werte gemessen: IB = 7 µA, IC1 = 1.43 mA bei UC1 = 2 V und IC2 = 1.83 mA bei UC2 = 22 V. Allgemein und zahlenmäßig sind die Werte UEA und β zu bestimmen.
IB2 angeben!

Aufgabe 2: Transistorparameter MOSFET


An einem MOSFET messen Sie bei einer Gate-Sourcespannung von 2 V bei UDS = 3 V IDS = 4 mA und bei UDS = 5 V IDS = 6 mA.
Bei UGS = 1 V und UDS = 3 V messen Sie IDS = 1 mA.
Berechnen Sie λ, Vth und KN.

Aufgabe 3: Diode

An einer idealen Diode mit einem Serienwiderstand RS werden folgende Messungen gemacht.
Messung 1 2 3 4
VDiode [V] 1.6 0.9 0.56 1.7
IDiode [mA] 420 0.2 0.001 580
Arbeitsbereich
1. In welchen Arbeitsbereichen befindet sich die Diode bei den Messungen 1..4? (2 Punkte)
2. Bestimmen Sie näherungsweise Is, n und den Serienwiderstand RS. (UT = 0.025 V) (5 Punkte)
3. Bestimmen Sie den Kleinsignalwiderstand im Arbeitspunkt 2. (2 Punkte)




Bestimmung der Parameter der Diodengleichung
Bestimmung der Parameter der MOSFET Gleichung
Bestimmung der Parameter der MOSFET Gleichung
Bestimmung der Parameter des Bipolartransistors
Bestimmung der Parameter des Bipolartransistors
Bestimmung der Parameter des Operationsverstärkers
Frequenzgang
Frequenzgang

Dioden Aufgaben


Kleinsignalersatzschaltbild einer Diode
Temperaturmessung mit einer Diode
Z-Diode

MOSFET Aufgaben


MOSFET Frequenzgang
MOSFET Spannungsverstärkung

Übung 3: Arbeitspunkt

Aufgabe 1

Gegeben ist folgender Spannungsteiler aus drei gleichen NMOS Transistoren: Kn=250µA/V2, VthN=0.6V, VDD=5V.
1. Berechnen Sie die Ausgangsspannung V2. (Arbeitspunkt)
2. Berechnen Sie den Strom IDSM1.
3. Zeichnen Sie das Kleinsignalersatzschaltbild.
4. Berechnen Sie den Ausgangswiderstand.

Aufgabe 2

Gegeben ist folgender Spannungsteiler: R1 = 10 kΩ Kn = 250 µA/V2, VthN = 0.6 V, Ve = 5V, λ = 0.001 V-1.
1. Berechnen Sie die Ausgangsspannung Va. (Arbeitspunkt)
2. Zeichnen Sie das Kleinsignalersatzschaltbild.
3. Berechnen Sie den Ausgangswiderstand.

Aufgabe 3

Gegeben ist folgende Schaltung.
Kn = 250 µ A/V2, Kp = 100 µA/V2, VthN = 0.6 V, VthP = -0.5 V, VDD = 5 V, λ = 0.001 V-1.
Bestimmen Sie die Spannungen VG, VX, VY und die Ströme I2 und I3.

Aufgabe 4

Gegeben ist folgende Schaltung.
Kn = 250 µ A/V2, Kp = 100 µA/V2, VthN = 0.6 V, VthP = -0.5 V, VDD = 5 V, λ = 0.001 V-1.
Bestimmen Sie die Spannungen VA, VB und den Strom IDSM2.

Aufgabe 5

Gegeben ist folgende Schaltung.
Kn = 250 µ A/V2, Kp = 100 µA/V2, VthN = 0.6 V, VthP = -0.5 V, VDD = 5 V, λ = 0.001 V-1.
Bestimmen Sie die Spannungen VA, VB und den Strom IDSM2.

Aufgabe 6

Gegeben ist folgende Schaltung.
Kn = 250 µ A/V2, Kp = 100 µA/V2, VthN = 0.6 V, VthP = -0.5 V, VDD = 5 V, λ = 0.001 V-1.
Bestimmen Sie die Spannungen VA, VB und den Strom IDSM1.

Aufgabe 7: Achtung anders

Gegeben ist folgende Schaltung.
Kn = 250 µA/V2, Kp = 100 µA/V2, VthN = 0.6 V, VthP = -0.5 V, VDD = 5 V, λ = 0.001 V-1.
Bestimmen Sie die Spannungen VA, VB und den Strom IDSM1.

MOSFET Stromspiegel
MOSFET Arbeitspunkt bei Verstärkerschaltungen
Wilson Stromspiegel
MOSFET Arbeitspunkt WS2011
Differenzverstärker Arbeitspunkt

Übung 4: Verstärkerschaltungen

Aufgabe 1:

1. Bestimmen Sie den Arbeitspunkt folgender Schaltung. Kn = 500 µA/V2, Vthn = 1 V und λ = 0.0133 V-1.
2. Zeichnen Sie das Kleinsignalersatzschaltbild.
3. Berechnen Sie die Spannungsverstärkung, den Kleinsignaleingangswiderstand und den Kleinsignalausgangswiderstand.
4. Berechnen Sie die Spannungsverstärkung, wenn Sie eine Spannungsquelle mit einem Innenwiderstand von 100 kΩ am Eingang anschließen und einen Lastwiderstand von 100 kΩ am Ausgang.

Aufgabe 2: MOSFET Sourceschaltung

Gegeben ist folgende Sourceschaltung:
Der NMOS Transistor hat folgende Parameter:
KNN = 500 µA/V2, Vthn = 1 V und VDD =10 V
Die Ausgangsspannung VD soll die halbe Betriebsspannung sein. Die Schaltung soll mit 250 µA betrieben werden. Der Eingangswiderstand soll 1 MΩ sein. Dimensionieren Sie R1 und R2 und berechnen Sie die Spannungsverstärkung.

Aufgabe 3: Verstärker

VDD = 5 V, λ = 0.001 V-1, KPN = KPP = 1 mA/V2, Vthn = 1.5 V, Vthp = -1.5 V
Berechnen Sie die Spannungen am Punkt E und C.
Berechnen Sie den Strom IDSM4.
Berechnen Sie den Eingangswiderstand und die Spannungsverstärkung.

Lösung: MOSFET Sourceschaltung
MOSFET Sourceschaltung
Gegentaktverstärkung
Gleichtaktverstärkung

Übung 5: Operationsverstärker

Aufgabe 1: Operationsverstärker, Frequenzgang

Ein invertierender Verstärker ist für eine Verstärkung von Av = 30 dB und einen Eingangswiderstand von re = 5 kΩ zu dimensionieren.
1. Bestimmen Sie die Widerstände.
2. An dem Verstärker misst man eine Grenzfrequenz von 1 MHz. Wie groß ist die Transitfrequenz.
Der Verstärker ist nicht stabil. Kompensieren Sie den Verstärker mit einer Kapazität, so das sich eine Grenzfrequenz vom 200 kHz einstellt.
Zeichnen Sie das Schaltbild und bestimmen Sie den Wert der Kapazität.

Aufgabe 2: Frequenzgang

R1 = 100 kΩ, R2 = 100 kΩ, C1 = 4 µF, C2 = 40 pF.
Bestimmen Sie die Übertragungsfunktion (Transfer function \( \underline{T} (j\omega ) \) ) und die Eckfrequenzen.
Bestimmen Sie die maximale Verstärkung.


Addierer
Subtrahierer
Operationsverstärkerschaltung WS2011
Relaxationsoszillator

Klausur WS2011:

Aufgabe 1

Ein Halbleiter ist entsprechend dem Bild mit 3 · 1018 cm-3 Bor und 1 · 1017 cm-3 Phosphor dotiert.

1.1. Zeichnen Sie das elektrische Schaltbild der Diode und markieren Sie die n- und p-dotierten Gebiete. (2 Punkte)
1.2. Wie groß ist die Elektronen- und Löcherdichte bei Störstellenerschöpfung in den dotierten Gebieten (ni=1.5 · 1010 cm-3)? (2 Punkte)
1.3. Berechnen Sie die Sperrschichtweite bei einer Sperrspannung von 0.5 V.
εH = εSi · ε0 = 11.8 · 8.85 · 10-14 Fcm-1, e = 1.6 · 10-19 C; kT/e = 0.025 V; ni = 1.5 · 1010cm-3 (4 Punkte)
(UD = 0.87 V, ds = 0.136 µm )

Aufgabe 2: Bauelemente

An einem n-Kanal MOSFET werden folgende Messungen gemacht
Messung 1 2 3 4 5
VGS [V] 0.3 1 1.5 1.5 1.5
VDS [V] 3 5 5 0.2 7
IDS [mA] 0 1 4 1.35 4.1
Arbeitsbereich
1. In welchen Arbeitsbereichen befindet sich der Transistor bei den Messungen 1..5? (2 Punkte)
2. Bestimmen Sie λ, β und Vth. (8 Punkte)
(λ = 0.0133 V-1; Vth = 0.5 V, β = 3.75 mAV-2)

Aufgabe 3

Gegeben ist folgende Schaltung.
Kn = 250 µ A/V2, Kp = 100 µA/V2, VthN = 0.6 V, VthP = -0.5 V, VDD = 5 V, λ = 0.001 V-1.
Bestimmen Sie die Spannungen VA, VB und den Strom IDSM2. (8 Punkte)
Lösung: MOSFET Arbeitspunkt WS2011

Aufgabe 4: Transistorverstärker

Gegeben sei folgender Verstärker.
Kn = 100 µA/V2, Kp = 25 µA/V2, VthN = 0.8 V, VthP = -0.8 V, VDD=5V, λ=0.002V-1.
1. Berechnen Sie den Strom durch den Transistor M1. (2 Punkte)
2. Berechnen Sie den Eingangswiderstand. (1 Punkt)
3. Zeichnen Sie das Kleinsignalersatzschaltbild. (3 Punkte)
4. Berechnen Sie den Kleinsignalausgangswiderstand. (3 Punkte)
5. Berechnen Sie die Spannungsverstärkung. (2 Punkte)
( IDSM1 = 50 µA, rE = 115 kΩ, ra= 19.9 kΩ, vu = -1.99)

Lösung analog zu: MOSFET Transistorverstärker

Aufgabe 5: Operationsverstärker Frequenzgang

Gegeben sei folgende Operationsverstärkerschaltung.
1. Bestimmen Sie die Gleichspannungsverstärkung. (2 Punkte)
2. Bestimmen Sie den Eingangswiderstand. (1 Punkt)
3. Bestimmen Sie die Übertragungsfunktion. (2 Punkte)
4. Bestimmen Sie die 3 dB Eckfrequenz (2 Punkte)
( vU = 15, Re = ∞, f3dB = 1.42 kHz)
Lösung: Operationsverstärkerschaltung WS2011

Klausur WS2012:

Aufgabe 1

Ein MOSFET ist entsprechend dem Querschnitttsbild mit 1·1016 cm-3 Bor und 1·1019 cm-3 Phosphor dotiert.

1.1. Zeichnen Sie das elektrische Schaltbild des Transistors und markieren Sie die Anschlüsse des Transistors im Schaltbild und im Querschnitt. (2 Punkte)
1.2. Wie groß ist die Elektronen- und Löcherdichte bei Störstellenerschöpfung in den dotierten Gebieten (ni=1.5 · 1010 cm-3)? (2 Punkte)
1.3. Zeichnen Sie die Raumladungszone zwischen Drain und Bulk in den Querschnitt ein und berechnen Sie die Sperrschichtweite in µm bei UD = 3 V und UB = -1 V.
εH = εSi · ε0 = 11.8 · 8.85 · 10-14 Fcm-1, e = 1.6 · 10-19 C; kT/e = 0.025 V; ni=1.5 · 1010 cm-3 (3 Punkte)
(UD = 0.843 V, ds = 0.7955µm )

Aufgabe 2: Bauelemente

An einer idealen Diode mit einem Serienwiderstand RS werden folgende Messungen gemacht.
Messung 1 2 3 4
VDiode [V] -2 0.5 1.4 1.6
IDiode -0.3 nA 11 µA 400 mA 600 mA
Arbeitsbereich
1. In welchen Arbeitsbereichen befindet sich die Diode bei den Messungen 1..4? (2 Punkte)
2. Bestimmen Sie näherungsweise IS, n und den Serienwiderstand RS. (UT = 0.025 V) (5 Punkte)
3. Bestimmen Sie den Kleinsignalwiderstand im Arbeitspunkt 2. (2 Punkte)
( IS = 0.3 nA, n = 1.9, RS = 1;0.97 Ω, r = 4.32 kΩ)

Aufgabe 3

Gegeben ist folgende Schaltung.
Kn = 300 µA/V2, Kp = 100 µA/V2, VthN = 0.7 V, VthP = -0.7 V, VDD = 6 V, λ = 0.002 V-1.
Bestimmen Sie die Spannungen VA und den Strom IDSM2. (4 Punkte)
Zeichnen Sie das Kleinsignalersatzschaltbild und bestimmen Sie den Kleinsignalausgangswiderstand bezüglich VA.
(VA = 2.95 V, IDSM2 = 762 µA, rA = 538 Ω )

Aufgabe 4: Transistorverstärker

Gegeben sei folgender Verstärker.
Kp = 40 µA/V2, VthP = -0.8V, VDD = 4V, λ = 0.003 V-1.
1. Berechnen Sie den Strom durch den Transistor M1. (2 Punkte)
2. Berechnen Sie den Kleinsignaleingangswiderstand. (1 Punkt)
3. Berechnen Sie die Eckfrequenz des Hochpasses am Eingang. (1 Punkt)
4. Zeichnen Sie das Kleinsignalersatzschaltbild. (2 Punkte)
4. Berechnen Sie den Kleinsignalausgangswiderstand. (2 Punkte)
5. Berechnen Sie die Spannungsverstärkung. (2 Punkte)
(IDS = 18.6 µA, rE= 83.8 kΩ, f3dB = 1.9 Hz, rA = 59.8 kΩ, vU = -2.31)

Aufgabe 5: Operationsverstärker Frequenzgang

Gegeben sei folgende Operationsverstärkerschaltung.
1. Bestimmen Sie die Gleichspannungsverstärkung in dB. (2 Punkte)
2. Bestimmen Sie den Eingangswiderstand. (0.5 Punkt)
3. Bestimmen Sie die komplexe Übertragungsfunktion. (3 Punkte)
4. Bestimmen Sie die 3 dB Eckfrequenz (2 Punkte)
( vuDC = - 23, Av = 27.2 dB, RE = 20 kΩ, f3dB1 = 319 kHz, f3dB2 = 6.77 kHz)




Klausur WS2013:

Aufgabe 1

Ein Bauteil hat folgenden Querschnitt:

Das n+ Gebiet ist mit 1 · 1019 cm-3 Phosphor, das p Gebiet mit 1·1017 cm-3 Bor und das n Gebiet mit 1·1015 cm-3 Phosphor dotiert.
1.1. Um was für ein Bauteil handelt es sich?
Zeichnen Sie das elektrische Schaltbild des Bauteils und markieren Sie die Anschlüsse im Schaltbild und im Querschnitt. (2 Punkte)
1.2. Wie groß ist die Elektronen- und Löcherdichte bei Störstellenerschöpfung im p-dotierten Gebiet (ni=1.5*1010cm-3)? (2 Punkte)
1.3. Berechnen Sie die Sperrschichtweite zwischen dem n und p Gebiet in μm, bei einer Sperrspannung von 5V. εH = εSi · ε 0 = 11.8·8.85 ·10-14 Fcm-1, e = 1.6 ·10-19 C; kT/e = 0.025 V; ni = 1.5·1010 cm-3 (3 Punkte)
(UD = 0.671 V, ds = 2.73 µm )

Aufgabe 2: Bauelemente

An einem MOSFET werden folgende Messungen gemacht.
Messung 1 2 3 4 5
VGS [V] 1.5 1.75 6 1.75 3
VDS [V] 3 4 3 2 3
IDS [mA] 2.25 4.008 37.854.004 20.28
Arbeitsbereich
1. In welchen Arbeitsbereichen befindet sich der MOSFET bei den Messungen 1..4? (2 Punkte)
2. Bestimmen Sie Vth, β und λ. (7 Punkte)
3. Bestimmen Sie den Kleinsignalwiderstand im Arbeitspunkt 2. (1 Punkte)
(λ = 0.0005 V-1; Vth = 0.75 V, β = 4 mAV-2, rA = 500 kΩ)

Aufgabe 3

Gegeben ist folgende Schaltung.
Kn = 400 µ A/V2, VthN = 0.8 V, VDD = 5 V, λ = 0.002 V-1.
Bestimmen Sie die Spannungen VG, VA und den Strom IDSM2. (4 Punkte)
(VG = 1.23 V, VA = 4.25 V, IDSM2 = 37.7 µA)

Aufgabe 4: Transistorverstärker

Gegeben sei folgender Verstärker.
NFET Kpn = 80 mA/V2, VthN = 2 V, λ = 0.001 V-1
PFET Kpp = 20 mA/V2, VthP = -0.5 V, λ = 0.002 V-1
VDD = 4 V, .
1. Berechnen Sie den Strom durch den Transistor M2. (2 Punkte)
2. Berechnen Sie den Kleinsignaleingangswiderstand. (0.5 Punkt)
3. Berechnen Sie die Eckfrequenz des Hochpasses am Eingang. (0.5 Punkt)
4. Zeichnen Sie das Kleinsignalersatzschaltbild. (2 Punkte)
4. Berechnen Sie den Ausgangswiderstand. (2 Punkte)
5. Berechnen Sie die Spannungsverstärkung. (3 Punkte)
(IDSM2 = 10 mA, rE = 188 kΩ, f3dB = 0.849 Hz, rA = 33.3 k Ω, vU = -2000, Av = 66 dB )

Aufgabe 5: Operationsverstärker Frequenzgang

Gegeben sei folgende Operationsverstärkerschaltung.
1. Bestimmen Sie die Gleichspannungsverstärkung in dB. (1 Punkt)
2. Bestimmen Sie den Eingangswiderstand. (0.5 Punkt)
3. Bestimmen Sie die komplexe Übertragungsfunktion. (2 Punkte)
4. Bestimmen Sie die 3 dB Eckfrequenz (1 Punkt)
(vu = 1, rE = ∞, f3dBN = 362 Hz, f3dB = 1.99 kHz)