Elektronik15 DiodeProf. Dr. Jörg Vollrath14 Schaltungsentwurf |
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0:1:0 Diodenübersicht 0:2:46 Handtaschenlampe 0:5:50 Strom-Spannungskennlinie und Gleichung der Diode 0:13:50 Excel Diodenkennlinien 0:19:28 Serienwiderstand 0:25:8 SPICE Diodenmodell 0:30:8 LED blinkt im praktischen Aufbau 0:34:54 Bestimmung der Parameter, Strommessung mit Widerstand 0:36:33 Dreieckspannung 0:38:8 Oszilloskopbild 0:40:25 xy-Darstellung 0:43:18 Leuchtdiode als Beispiel 0:48:46 Strommesswiderstände 0:51:18 Diodenmesswerte zur Bestimmung von Diodenparametern 0:54:23 Arbeitsbereich und Gleichung 0:56:18 Sperrstrom und Sättigungsstrom 0:59:18 Exponentialbereich Berechnung von n 1:2:43 Berechnung Mathnotepad 1:4:14 Widerstandsbereich 1:5:44 2 Werte aus dem Exponentialbereich zur Bestimmung n, Is 1:11:54 Diodenschaltsymbole: Shottky, Zener, LED 1:13:18 Logarithmische Kennlinien verschiedener Dioden 1:16:56 Lineare Kennlinien und Durchbruch |
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Quelle: Joerg Vollrath |
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Quelle: Vollrath |
DC Simulation
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\( I_D = I_S\left( e^{\frac{q (U - I_D * R_S )}{nkT}}-1\right) \) Quelle: Vollrath |
\( I = \frac{U}{R} = \frac{UOSC2 - UOSC1}{R1} \)
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Messung | 1 | 2 | 3 | 4 |
VDiode | -2 V | 0.5 V | 1.4 V | 1.6 V |
IDiode | -0.3 nA | 11 uA | 400 mA | 600 mA |
Arbeitsbereich |
Vorwärtsbetrieb \( I_D = I_S \left( e^{\frac{q U}{n k T}} - 1 \right) \) Durchbruch \( U_D < BV \) \( I_D = - I_S \left( e^{- \frac{q (U+BV)}{n k T}} - 1 + \frac{q BV}{k T} \right) \) |
Quelle: Vollrath |
Netzliste (netlist) * \Elek3_WS2011\LTSPICE\Dioden_arten_01.asc D_Silicon N001 0 1N914 D_Shottky N001 0 MBR0520L D_Zener N001 0 BZX84C10L D_SiC N001 0 UPSC600 D_varactor N001 0 MV2201 D_LED N001 0 NSCW100 V1 N001 0 1 .model D D .lib c:\lib\cmp\standard.dio .dc V1 -2 4 0.1 .backanno .end Dioden fangen in der Netzliste mit dem Buchstaben D an. Es gibt eine Bibliothek (library) standard.dio mit Bauteileigenschaften. |
Quelle: Vollrath |
Silizium | Shottky | Zener | SiC | Varaktor | LED | Is (A) | 2.25n | 31.7u | 0.6n | 2p | 1.36p | 16.9n |
n | 1.752 | 0.78 | 1 | 1.5 | 1 | 6.79 |
Ein Widerstand R = 10 \( \Omega \) und eine Diode sind in Reihe an einer Spannungsquelle V1 = 1 V angeschlossen. Der Strom I soll berechnet werden?
\( I = I_S\left( e^{\frac{q (V_1 - I * R )}{nkT}}-1\right) \)
Dies ist eine nichtlineare Gleichung. Die Lösung der Gleichung kann nur iterativ durch Ausprobieren erfolgen. Näherungslösungen:
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Graphische Lösung: Was passiert wenn nur die Diode vorhanden wäre? Wie groß ist der Strom durch den Widerstand bei verschiedenen Diodenspannungen? Widerstandslastkennline Wenn 0V an der Diode anliegt fliesst der maximale Strom \( I = \frac{1 V}{ 10 \Omega} = 100 mA \). Wenn 1V an der Diode anliegt fliesst kein Strom I = 0. Zwischen diesen 2 Punkten ist die Kennlinie linear, da der Widerstand ein lineares Bauelement ist. Das Ohmsche Gesetz gilt. Man kann nun den Arbeitspunkt der Schaltung aus dem Schnittpunkt der Kurven bestimmen. \( U_{Diode} = 0.75 V \)   und \( I = 25 mA \) |
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Die Diodenkennlinie ist sehr steil. Was passiert, wenn als Diodenspannung 0.7 V angenommen wird? Dies entspricht einer Spannungsquelle von 0.7 V.
Je größer die Spannung und der Widerstand sind, desto geringer ist die Abweichung. Grosssignalersatzschaltbild und Rechnung. |
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Was passiert mit dem Strom, wenn sich die Spannung V1 geringfügig ändert? Man ersetzt die nichtlineare Diodenkennlinie durch eine Tangente im Arbeitspunkt. Man ersetzt die Diode durch einen Widerstand. \( r_D = \frac{ \Delta U}{ \Delta I} = \frac{1}{\frac{\delta I}{ \delta U}} = \frac{1}{\frac{\delta I_S \left( e^{\frac{U}{n U_T}} -1 \right)}{ \delta U}} \) \( r_D = \frac{1}{\frac{ I_S \left( e^{\frac{U}{n U_T}}\right)}{ n U_T}} = \frac{ n U_T}{I_S \left( e^{\frac{U}{n U_T}}\right) } \) \( r_D \approx \frac{ n U_T}{I_S \left( e^{\frac{U}{n U_T}} - 1 \right) } = \frac{n U_T}{I_{Diode}} = 1 \Omega \) |
Man kann nun die Stromänderung der Schaltung im Arbeitspunkt mit der Spannungsteilerregel bestimmen. \( \Delta I = \Delta U \cdot \frac{ r_D}{ R + r_D} \) \( \Delta I = 0.2 V \cdot \frac{ 1 \Omega }{ 10 \Omega + 1 \Omega} =0.018 mA \) |
Grosssignalersatzschaltbild: Schalter mit Spannungsquelle (0.7 V) |
In Durchlassrichtung
Kleinsignalersatzschaltbild: Widerstand \( r_D \approx \frac{n U_T}{I_{Diode}} \) |
Schaltung zur Diodenkennlinie Schaltung zur Durchlass- und Sperrrichtung |
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Sperrstrom und Durchlassstrom steigen mit der Temperatur. \( I_D = I_S \left( e^{\frac{U}{nU_T}} -1 \right) \) \( I_S \sim B·T^3·exp^{-\frac{W_g}{kT}} \) \( U_T \sim T \) |
Quelle: Datenblatt |
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ohne Serienwiderstand:
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in Flussrichtung U >> UT:
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in Sperrrichtung U < 0:
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\( U_T = \frac{kT}{q} \) \( U_T(RT = 300 K = 27 °C) = 25mV \) |