Elektronik15 DiodeProf. Dr. Jörg Vollrath14 Schaltungsentwurf |
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Länge: 00:00:00 |
0:1:0 Diodenübersicht 0:2:46 Handtaschenlampe 0:5:50 Strom-Spannungskennlinie und Gleichung der Diode 0:13:50 Excel Diodenkennlinien 0:19:28 Serienwiderstand 0:25:8 SPICE Diodenmodell 0:30:8 LED blinkt im praktischen Aufbau 0:34:54 Bestimmung der Parameter, Strommessung mit Widerstand 0:36:33 Dreieckspannung 0:38:8 Oszilloskopbild 0:40:25 xy-Darstellung 0:43:18 Leuchtdiode als Beispiel 0:48:46 Strommesswiderstände 0:51:18 Diodenmesswerte zur Bestimmung von Diodenparametern 0:54:23 Arbeitsbereich und Gleichung 0:56:18 Sperrstrom und Sättigungsstrom 0:59:18 Exponentialbereich Berechnung von n 1:2:43 Berechnung Mathnotepad 1:4:14 Widerstandsbereich 1:5:44 2 Werte aus dem Exponentialbereich zur Bestimmung n, Is 1:11:54 Diodenschaltsymbole: Shottky, Zener, LED 1:13:18 Logarithmische Kennlinien verschiedener Dioden 1:16:56 Lineare Kennlinien und Durchbruch |
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![]() Quelle: Joerg Vollrath |
Version 4 SHEET 1 880 680 WIRE -32 48 -144 48 WIRE 144 48 32 48 SYMBOL diode 32 32 R90 WINDOW 0 0 32 VBottom 2 WINDOW 3 32 32 VTop 2 SYMATTR InstName D1 SYMATTR Value "" TEXT 64 96 Left 2 !Anode TEXT -144 96 Left 2 !Kathode TEXT -16 -40 Left 2 ;U TEXT -72 24 Left 2 ;I LINE Normal -112 -16 -96 0 LINE Normal -96 -32 -112 -16 LINE Normal 96 -16 -112 -16 LINE Normal -96 48 -80 32 LINE Normal -80 64 -96 48I_D = I_S\left( e^{\frac{qU}{nkT}}-1\right)
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![]() Quelle: Vollrath |
DC Simulation
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I_D = I_S\left( e^{\frac{q (U - I_D * R_S )}{nkT}}-1\right) Version 4 SHEET 1 880 680 WIRE 16 32 16 0 WIRE 144 112 16 112 WIRE 16 128 16 112 WIRE 144 144 144 112 WIRE 16 240 16 208 WIRE 144 240 144 208 WIRE 144 240 16 240 WIRE 16 272 16 240 SYMBOL res 0 16 R0 SYMATTR InstName RS SYMATTR Value "" SYMBOL current 16 128 R0 SYMATTR InstName BI SYMATTR Value ID=F(VD) SYMBOL cap 128 144 R0 WINDOW 0 -68 -52 Left 2 SYMATTR InstName C=Cj+CD SYMATTR Value ""Quelle: Vollrath |
I = \frac{U}{R} = \frac{UOSC2 - UOSC1}{R1}
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Version 4 SHEET 1 1308 680 WIRE 176 80 80 80 WIRE 288 80 256 80 WIRE 288 112 288 80 WIRE 80 128 80 80 WIRE 80 240 80 208 WIRE 176 240 80 240 WIRE 288 240 288 176 WIRE 288 240 176 240 WIRE 176 256 176 240 FLAG 176 256 0 FLAG 288 80 OSC1 FLAG 80 80 OSC2 SYMBOL voltage 80 112 R0 SYMATTR InstName V1 SYMATTR Value 1 SYMBOL res 272 64 R90 WINDOW 0 0 56 VBottom 2 WINDOW 3 32 56 VTop 2 SYMATTR InstName R1 SYMATTR Value 10 SYMBOL diode 272 112 R0 SYMATTR InstName D1 SYMATTR Value Dx TEXT 64 296 Left 2 !.model Dx D(Is=10f Rs=0.0\n+ N=1.0 Cjo=0 M=0.5 tt=0 \n+Iave=200m Vpk=75 mfg=Motorola type=silicon) TEXT 308 228 Left 2 !.dc V1 -1 1 0.01 |
Messung | 1 | 2 | 3 | 4 |
VDiode | -2 V | 0.5 V | 1.4 V | 1.6 V |
IDiode | -0.3 nA | 11 uA | 400 mA | 600 mA |
Arbeitsbereich |
Vorwärtsbetrieb I_D = I_S \left( e^{\frac{q U}{n k T}} - 1 \right) Durchbruch U_D < BV I_D = - I_S \left( e^{- \frac{q (U+BV)}{n k T}} - 1 + \frac{q BV}{k T} \right) |
Version 4 SHEET 1 880 680 WIRE -288 -160 -336 -160 WIRE -144 -160 -288 -160 WIRE -288 -128 -288 -160 WIRE -144 -128 -144 -160 WIRE -288 -32 -288 -64 WIRE -144 -32 -144 -64 WIRE -288 16 -320 16 WIRE -128 16 -288 16 WIRE -288 32 -288 16 WIRE -128 32 -128 16 WIRE -288 128 -288 96 WIRE -128 128 -128 96 WIRE -288 160 -320 160 WIRE -128 160 -288 160 WIRE -128 176 -128 160 WIRE -288 192 -288 160 WIRE -288 272 -288 256 WIRE -128 272 -128 240 FLAG -336 -160 V1 FLAG -320 16 V1 FLAG -320 160 V1 FLAG -288 -32 0 FLAG -144 -32 0 FLAG -288 128 0 FLAG -128 128 0 FLAG -288 272 0 FLAG -128 272 0 SYMBOL diode -304 -128 R0 WINDOW 0 38 19 Left 2 WINDOW 3 42 47 Left 2 SYMATTR InstName D_Silicon SYMATTR Value 1N914 SYMBOL schottky -160 -128 R0 WINDOW 0 50 17 Left 2 WINDOW 3 47 46 Left 2 SYMATTR InstName D_Shottky SYMATTR Value MBR0520L SYMATTR Description Diode SYMATTR Type diode SYMBOL zener -304 32 R0 WINDOW 0 41 21 Left 2 WINDOW 3 38 52 Left 2 SYMATTR InstName D_Zener SYMATTR Value BZX84C10L SYMATTR Description Diode SYMATTR Type diode SYMBOL diode -144 32 R0 WINDOW 0 48 12 Left 2 WINDOW 3 46 46 Left 2 SYMATTR InstName D_SiC SYMATTR Value UPSC600 SYMBOL varactor -304 192 R0 WINDOW 0 39 21 Left 2 WINDOW 3 44 57 Left 2 SYMATTR InstName D_varactor SYMATTR Value MV2201 SYMATTR Type diode SYMBOL LED -144 176 R0 WINDOW 0 83 8 Left 2 WINDOW 3 85 42 Left 2 SYMATTR InstName D_LED SYMATTR Value NSCW100 SYMATTR Description Diode SYMATTR Type diode TEXT -112 0 Left 2 !.dc V1 -2 4 0.1 TEXT -96 136 Left 2 !V1 V1 0 DC 1Quelle: Vollrath |
Netzliste (netlist) D_Silicon N001 0 1N914 D_Shottky N001 0 MBR0520L D_Zener N001 0 BZX84C10L D_SiC N001 0 UPSC600 D_varactor N001 0 MV2201 D_LED N001 0 NSCW100 V1 N001 0 1 .model D D .lib c:\lib\cmp\standard.dio .dc V1 -2 4 0.1 .backanno .end Dioden fangen in der Netzliste mit dem Buchstaben D an. Es gibt eine Bibliothek (library) standard.dio mit Bauteileigenschaften. |
![]() Quelle: Vollrath |
Silizium | Shottky | Zener | SiC | Varaktor | LED | |
Is (A) | 2.25n | 31.7u | 0.6n | 2p | 1.36p | 16.9n |
n | 1.752 | 0.78 | 1 | 1.5 | 1 | 6.79 |
Rs (Ohm) | 0.568 | 0.115 | 0.5 | 0.33 | 1 | 8.163 |
Ein Widerstand R = 10 \Omega und eine Diode sind in Reihe an einer Spannungsquelle V1 = 1 V angeschlossen. Der Strom I soll berechnet werden?
I = I_S\left( e^{\frac{q (V_1 - I * R )}{nkT}}-1\right)
Dies ist eine nichtlineare Gleichung. Die Lösung der Gleichung kann nur iterativ durch Ausprobieren erfolgen. Näherungslösungen:
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Version 4 SHEET 1 880 680 WIRE 144 80 80 80 WIRE 288 80 224 80 WIRE 288 112 288 80 WIRE 80 128 80 80 WIRE 80 240 80 208 WIRE 176 240 80 240 WIRE 288 240 288 176 WIRE 288 240 176 240 WIRE 176 256 176 240 FLAG 176 256 0 FLAG 288 80 SCOPE1DC FLAG 80 80 SCOPE2DC SYMBOL voltage 80 112 R0 SYMATTR InstName VAWG1 SYMATTR Value 1 SYMBOL res 240 64 R90 WINDOW 0 0 56 VBottom 2 WINDOW 3 32 56 VTop 2 SYMATTR InstName R1 SYMATTR Value 10 SYMBOL diode 272 112 R0 SYMATTR InstName D1 SYMATTR Value 1N914 TEXT 40 296 Left 2 !.dc VAWG1 0.2 1.0 0.05 |
Graphische Lösung: Was passiert wenn nur die Diode vorhanden wäre? Wie groß ist der Strom durch den Widerstand bei verschiedenen Diodenspannungen? Widerstandslastkennline Wenn 0V an der Diode anliegt fliesst der maximale Strom I = \frac{1 V}{ 10 \Omega} = 100 mA . Wenn 1V an der Diode anliegt fliesst kein Strom I = 0. Zwischen diesen 2 Punkten ist die Kennlinie linear, da der Widerstand ein lineares Bauelement ist. Das Ohmsche Gesetz gilt. Man kann nun den Arbeitspunkt der Schaltung aus dem Schnittpunkt der Kurven bestimmen. U_{Diode} = 0.75 V und I = 25 mA |
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Die Diodenkennlinie ist sehr steil. Was passiert, wenn als Diodenspannung 0.7 V angenommen wird? Dies entspricht einer Spannungsquelle von 0.7 V.
Je größer die Spannung und der Widerstand sind, desto geringer ist die Abweichung. Grosssignalersatzschaltbild und Rechnung. |
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Was passiert mit dem Strom, wenn sich die Spannung V1 geringfügig ändert? Man ersetzt die nichtlineare Diodenkennlinie durch eine Tangente im Arbeitspunkt. Man ersetzt die Diode durch einen Widerstand. r_D = \frac{ \Delta U}{ \Delta I} = \frac{1}{\frac{\delta I}{ \delta U}} = \frac{1}{\frac{\delta I_S \left( e^{\frac{U}{n U_T}} -1 \right)}{ \delta U}} r_D = \frac{1}{\frac{ I_S \left( e^{\frac{U}{n U_T}}\right)}{ n U_T}} = \frac{ n U_T}{I_S \left( e^{\frac{U}{n U_T}}\right) } r_D \approx \frac{ n U_T}{I_S \left( e^{\frac{U}{n U_T}} - 1 \right) } = \frac{n U_T}{I_{Diode}} = 1 \Omega |
Man kann nun die Stromänderung der Schaltung im Arbeitspunkt mit der Spannungsteilerregel bestimmen. \Delta I = \Delta U \cdot \frac{ r_D}{ R + r_D} \Delta I = 0.2 V \cdot \frac{ 1 \Omega }{ 10 \Omega + 1 \Omega} =0.018 mA |
Grosssignalersatzschaltbild: Version 4 SHEET 1 880 680 WIRE 48 144 0 144 WIRE 128 144 96 144 WIRE 224 144 208 144 SYMBOL voltage 112 144 R270 WINDOW 0 32 56 VTop 2 WINDOW 3 -32 56 VBottom 2 SYMATTR InstName V1 SYMATTR Value 0.7 V LINE Normal 96 144 48 112 Schalter mit Spannungsquelle (0.7 V) |
In Durchlassrichtung
Kleinsignalersatzschaltbild: Version 4 SHEET 1 880 680 WIRE 336 144 304 144 WIRE 448 144 416 144 SYMBOL res 432 128 R90 WINDOW 0 0 56 VBottom 2 WINDOW 3 32 56 VTop 2 SYMATTR InstName RD SYMATTR Value "" Widerstand r_D \approx \frac{n U_T}{I_{Diode}} |
Version 4 SHEET 1 880 680 WIRE 64 48 32 48 WIRE 224 48 144 48 WIRE 32 80 32 48 WIRE 224 80 224 48 WIRE 32 176 32 160 WIRE 224 176 224 144 WIRE 80 240 32 240 WIRE 224 240 144 240 WIRE 224 272 224 240 WIRE 224 368 224 352 FLAG 224 176 0 FLAG 32 176 0 FLAG 32 48 C1 FLAG 224 48 C2 FLAG 224 368 0 FLAG 32 240 C1 FLAG 224 240 C3 SYMBOL res 160 32 R90 WINDOW 0 0 56 VBottom 2 WINDOW 3 32 56 VTop 2 SYMATTR InstName R1 SYMATTR Value 1k SYMBOL diode 208 80 R0 SYMATTR InstName D1 SYMATTR Value 1N914 SYMBOL voltage 32 64 R0 WINDOW 123 0 0 Left 2 WINDOW 39 0 0 Left 2 SYMATTR InstName V1 SYMATTR Value SINE(0 3 1k) SYMBOL res 240 368 R180 WINDOW 0 36 76 Left 2 WINDOW 3 36 40 Left 2 SYMATTR InstName R2 SYMATTR Value 1k SYMBOL diode 80 256 R270 WINDOW 0 32 32 VTop 2 WINDOW 3 0 32 VBottom 2 SYMATTR InstName D2 SYMATTR Value 1N914 TEXT 174 408 Left 2 !.tran 1m Schaltung zur Diodenkennlinie Schaltung zur Durchlass- und Sperrrichtung |
![]() ![]() |
Sperrstrom und Durchlassstrom steigen mit der Temperatur. I_D = I_S \left( e^{\frac{U}{nU_T}} -1 \right) I_S \sim B·T^3·exp^{-\frac{W_g}{kT}} U_T \sim T |
![]() Quelle: Datenblatt |
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ohne Serienwiderstand:
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in Flussrichtung U >> UT:
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in Sperrrichtung U < 0:
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U_T = \frac{kT}{q} U_T(RT = 300 K = 27 °C) = 25mV |
Version 4 SymbolType CELL LINE Normal 0 36 4 36 LINE Normal 0 44 0 36 LINE Normal 0 44 32 44 LINE Normal 32 44 32 52 LINE Normal 32 52 28 52 LINE Normal 0 20 32 20 LINE Normal 32 20 16 44 LINE Normal 0 20 16 44 LINE Normal 16 0 16 20 LINE Normal 16 44 16 64 WINDOW 0 24 0 Left 2 WINDOW 3 24 64 Left 2 SYMATTR Value D SYMATTR Prefix D SYMATTR Description Schottky diode PIN 16 0 NONE 0 PINATTR PinName + PINATTR SpiceOrder 1 PIN 16 64 NONE 0 PINATTR PinName - PINATTR SpiceOrder 2
Version 4 SymbolType CELL LINE Normal 0 44 -4 48 LINE Normal 32 44 36 40 LINE Normal 0 44 32 44 LINE Normal 0 20 32 20 LINE Normal 32 20 16 44 LINE Normal 0 20 16 44 LINE Normal 16 0 16 20 LINE Normal 16 44 16 64 WINDOW 0 24 0 Left 2 WINDOW 3 24 64 Left 2 SYMATTR Value D SYMATTR Prefix D SYMATTR Description Zener Diode PIN 16 0 NONE 0 PINATTR PinName + PINATTR SpiceOrder 1 PIN 16 64 NONE 0 PINATTR PinName - PINATTR SpiceOrder 2
Version 4 SymbolType CELL LINE Normal 0 36 32 36 LINE Normal 0 44 32 44 LINE Normal 0 16 32 16 LINE Normal 32 16 16 36 LINE Normal 0 16 16 36 LINE Normal 16 0 16 16 LINE Normal 16 44 16 64 WINDOW 0 24 0 Left 2 WINDOW 3 24 64 Left 2 SYMATTR Value D SYMATTR Prefix D SYMATTR Description Diode PIN 16 0 NONE 0 PINATTR PinName + PINATTR SpiceOrder 1 PIN 16 64 NONE 0 PINATTR PinName - PINATTR SpiceOrder 2