Schaltungstechnik01 EinführungProf. Dr. Jörg Vollrath |
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Länge:1:14:11 |
0:0:36 Meine Person 0:17:21 Praktikum und Gruppen 0:22:11 Organisation Übung 0:29:39 Schaltungsentwurf 0:35:16 Model 0:36:40 Mitschrift 0:40:41 Welche Schaltungen kennen Sie? 0:43:24 Schaltungtechnik Arten 0:45:41 Umwelt und Schaltungstechnik 0:50:13 Topologie und Parameter 0:53:33 LTSPICE 0:57:4 Start LTSPICE 1:1:0 Bipolartransistor 1:3:54 Labels 1:5:54 Netzliste 1:6:14 Spannungsquelle als Text 1:9:4 Bipolartransistormodell und Parameter 1:9:54 Sättigungsstrom |
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Model
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Simulation
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Measurement
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Topologie: Reihenschaltung und Paralellschaltung Werte: RR1 = 100 Ω, RR2 = 100 Ω, RP1 = 1 kΩ, RP2 = 1 kΩ RR1 + RR2 < 1/(1/RP1+1/RP2) 200 Ω < 500 Ω |
Version 4 SHEET 1 880 680 WIRE 240 64 240 32 WIRE 432 96 432 32 WIRE 432 96 384 96 WIRE 480 96 432 96 WIRE 384 128 384 96 WIRE 480 128 480 96 WIRE 240 176 240 144 WIRE 384 256 384 208 WIRE 432 256 384 256 WIRE 480 256 480 208 WIRE 480 256 432 256 WIRE 432 288 432 256 WIRE 240 304 240 256 SYMBOL res 224 48 R0 SYMATTR InstName RR1 SYMATTR Value 100 SYMBOL res 224 160 R0 SYMATTR InstName RR2 SYMATTR Value 100 SYMBOL res 368 112 R0 SYMATTR InstName RP1 SYMATTR Value 1k SYMBOL res 464 112 R0 SYMATTR InstName RP2 SYMATTR Value 1k |
.model 2N2222X NPN(IS=1.434E-14 VAF=74.03 BF=255.9 IKF=0.2847 XTB=3 + BR=6.092 CJC=7.306E-12 CJE=22.01E-12 TR=46.91E-9 TF=411.1E-12 ITF=.6 + VTF=1.5 XTF=3 RB=10 RC=1 RE=.01 Vceo=30 Icrating=800m mfg=NXP)
.model CD4007N NMOS(LEVEL=1 KP=500u VT0=1 LAMBDA=0.002 CGSO=45n CGBO=2n CGDO=45n) .model CD4007P PMOS(LEVEL=1 KP=500u VT0=-1 LAMBDA=0.002 CGSO=45n CGBO=2n CGDO=45n)
Parameter | Min | Max |
Preis/Euro | 0.07 | 700 |
Anstiegsgeschwindigkeit Slew rate / (V/us) (V(MHz) (fmax=Sr/2/pi/U) |
0.0004 | 18200 |
Verstärkungsbandbreiteprodukt GBW (Hz) | 630 | 200 G |
Eingangsbiasstrom | 0.002 pA | 25 mA |
Eingangsoffsetspannung | 100 nV | 1.3 V |
Ausgangsstrom | 1 pA | 10 A |
Versorgungsspannung | 1.35 V | 275 V |